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参数资料
型号： AT-41533-BLK
厂商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： PLASTIC, SMT, 3 PIN
文件页数： 7/10页
文件大小： 103K
代理商： AT-41533-BLK
4-139
AT-41511 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Zo = 50 , VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.88
-25
23.47
14.918
162
-34.89
0.018
77
0.95
-11
0.5
0.61
-96
19.31
9.234
116
-25.04
0.056
49
0.66
-33
0.9
0.50
-135
15.49
5.948
94
-23.22
0.069
44
0.52
-38
1.0
0.48
-142
14.70
5.433
90
-22.85
0.072
43
0.50
-39
1.5
0.45
-170
11.59
3.796
74
-21.31
0.086
44
0.45
-42
1.8
0.45
176
10.13
3.210
66
-20.45
0.095
45
0.44
-44
2.0
0.45
168
9.31
2.921
61
-19.91
0.101
46
0.43
-46
2.4
0.45
154
7.85
2.469
52
-18.86
0.114
46
0.42
-51
3.0
0.48
136
6.06
2.009
39
-17.33
0.136
46
0.42
-58
4.0
0.53
111
3.77
1.544
19
-15.09
0.176
43
0.40
-72
5.0
0.58
92
1.91
1.246
2
-13.07
0.222
39
0.40
-90
GAIN
(dB)
0
30
0
FREQUENCY (GHz)
14
5
25
15
5
3
20
10
2
MSG
MAG
MSG
S21
Figure 14. AT-41511 Gains vs.
Frequency at VCE = 5 V, IC = 5 mA.
AT-41511 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50 , VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq
Fmin
Γ
opt
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
-
0.1
0.8
0.46
5
0.30
0.9
1.0
0.39
60
0.22
1.8
1.4
0.34
130
0.13
2.4
1.7
0.39
173
0.09
AT-41533 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Zo = 50 , VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.79
-28
23.48
14.932
155
-34.89
0.018
76
0.95
-11
0.5
0.36
-94
17.15
7.200
104
-25.35
0.054
61
0.65
-25
0.9
0.22
-137
12.77
4.349
84
-21.94
0.080
63
0.58
-27
1.0
0.20
-148
11.93
3.948
81
-21.21
0.087
64
0.57
-29
1.5
0.18
165
8.77
2.746
65
-18.20
0.123
65
0.56
-34
1.8
0.19
145
7.34
2.328
58
-16.65
0.147
65
0.55
-37
2.0
0.21
134
6.56
2.128
53
-15.70
0.164
65
0.55
-39
2.4
0.24
118
5.22
1.823
44
-14.02
0.199
63
0.54
-45
3.0
0.28
100
3.68
1.527
32
-11.77
0.258
59
0.53
-55
4.0
0.35
80
1.87
1.240
14
-8.61
0.371
50
0.50
-74
5.0
0.42
61
0.52
1.062
0
-6.18
0.491
37
0.47
-97
GAIN
(dB)
0
30
0
FREQUENCY (GHz)
14
5
25
15
5
3
20
10
2
MSG
MAG
MSG
S21
Figure 15. AT-41533 Gains vs.
Frequency at VCE = 5 V, IC = 5 mA.
AT-41533 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50 , VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq
Fmin
Γ
opt
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
-
0.1
0.7
0.46
7
0.21
0.9
1.0
0.29
86
0.13
1.8
1.4
0.36
-163
0.07
2.4
1.6
0.53
-126
0.15
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PDF描述
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参数描述
AT-41533-BLKG 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-41533-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR
AT-41533-TR1 功能描述:IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
AT-41533-TR1G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-41533-TR2G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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