收藏本站
参数资料
型号： AT-41533-TR1
厂商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： PLASTIC, SMT, 3 PIN
文件页数： 5/10页
文件大小： 103K
代理商： AT-41533-TR1
4-137
AT-41511 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Zo = 50 , VCE = 2.7 V, IC = 5 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.84
-27
23.44
14.854
161
-34.89
0.018
76
0.95
-11
0.5
0.59
-102
19.01
8.924
115
-24.88
0.057
48
0.65
-34
0.9
0.49
-141
15.09
5.684
93
-22.97
0.071
43
0.51
-39
1.0
0.48
-149
14.30
5.189
89
-22.73
0.073
43
0.49
-39
1.5
0.46
-176
11.15
3.61
72
-21.21
0.087
44
0.44
-43
1.8
0.46
170
9.69
3.051
64
-20.26
0.097
45
0.43
-45
2.0
0.46
162
8.86
2.774
59
-19.74
0.103
45
0.42
-47
2.4
0.47
148
7.37
2.337
50
-18.64
0.117
46
0.42
-51
3.0
0.5
130
5.58
1.901
36
-17.14
0.139
45
0.41
-59
4.0
0.56
106
3.25
1.454
17
-14.89
0.18
42
0.4
-73
5.0
0.61
87
1.36
1.17
0
-12.96
0.225
37
0.4
-91
AT-41511 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50 , VCE = 2.7 V, IC = 5 mA
Freq
Fmin
Γ
opt
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
-
0.1
0.8
0.45
6
0.25
0.9
1.0
0.39
63
0.19
1.8
1.4
0.32
137
0.12
2.4
1.7
0.40
177
0.09
GAIN
(dB)
0
30
0
FREQUENCY (GHz)
14
5
25
15
5
3
20
10
2
MSG
MAG
MSG
S21
Figure 10. AT-41511 Gains vs.
Frequency at VCE = 2.7 V, IC = 5 mA.
Figure 11. AT-41533 Gains vs.
Frequency at VCE = 2.7 V, IC = 5 mA.
GAIN
(dB)
0
30
0
FREQUENCY (GHz)
14
5
25
15
5
3
20
10
2
MSG
MAG
MSG
S21
AT-41533 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Zo = 50 , VCE = 2.7 V, IC = 5 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.78
-30
23.43
14.834
155
-33.98
0.020
75
0.94
-12
0.5
0.35
-99
16.91
7.004
103
-24.58
0.059
60
0.62
-28
0.9
0.23
-144
12.50
4.219
84
-21.21
0.087
62
0.55
-30
1.0
0.21
-154
11.65
3.826
80
-20.54
0.094
63
0.54
-31
1.5
0.20
162
8.50
2.661
64
-17.46
0.134
64
0.52
-36
1.8
0.22
144
7.09
2.261
56
-15.97
0.159
63
0.51
-40
2.0
0.23
134
6.30
2.065
51
-15.09
0.176
63
0.51
-42
2.4
0.26
118
4.97
1.773
42
-13.39
0.214
61
0.50
-48
3.0
0.30
101
3.45
1.488
30
-11.21
0.275
56
0.48
-58
4.0
0.37
80
1.66
1.211
13
-8.20
0.389
46
0.45
-80
5.0
0.44
62
0.35
1.041
-1
-5.90
0.507
33
0.42
-104
AT-41533 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50 , VCE = 2.7 V, IC = 5 mA
Freq
Fmin
Γ
opt
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
-
0.1
0.7
0.45
8
0.20
0.9
1.0
0.25
94
0.13
1.8
1.4
0.38
-159
0.08
2.4
1.6
0.54
-122
0.16
相关PDF资料
PDF描述
AT-41511-TR1G S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-41511-BLK S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-41533-BLK S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-41511-BLK S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-41511-TR1 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
AT-41533-TR1G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-41533-TR2G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-41535 制造商:AVAGO 制造商全称:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor
AT-41535G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-415-6 制造商:NKK Switches 功能描述:Bulk
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*