参数资料
型号: AT24C128B-TH-B
厂商: Atmel
文件页数: 4/23页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 128KBIT 1MHZ 8TSSOP
标准包装: 100
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 128K (16K x 8)
速度: 400kHz,1MHz
接口: I²C,2 线串口
电源电压: 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 8-TSSOP
包装: 管件
产品目录页面: 1456 (CN2011-ZH PDF)
5. Memory Organization
AT24C128B, 128K SERIAL EEPROM: The 128K is internally organized as 256 pages of 64
bytes each. Random word addressing requires a 14-bit data word address.
Table 5-1.
Pin Capacitance (1)
Applicable over recommended operating range from T A = 25 ? C, f = 1.0 MHz, V CC = +1.8V to 5.5V
Symbol
C I/O
C IN
Test Condition
Input/Output Capacitance (SDA)
Input Capacitance (A 0 , A 1 , SCL)
Max
8
6
Units
pF
pF
Conditions
V I/O = 0V
V IN = 0V
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
Table 5-2.
DC Characteristics
Applicable over recommended operating range from: T AI = ?? 40 ? C to +85 ? C, V CC = +1.8V to +5.5V (unless otherwise noted)
Symbol
V CC1
I CC1
I CC2
Parameter
Supply Voltage
Supply Current
Supply Current
Test Condition
V CC = 5.0V
V CC = 5.0V
READ at 400 kHz
WRITE at 400 kHz
Min
1.8
Typ
1.0
2.0
Max
5.5
2.0
3.0
Units
V
mA
mA
I SB1
I LI
Standby Current
(1.8V option)
Input Leakage Current
V CC = 5.0V
V CC = 1.8V
V CC = 5.5V
V IN = V CC or V SS
V IN = V CC or V SS
0.10
1.0
6.0
3.0
μA
μA
μA
Output Leakage
I LO
Current
V OUT = V CC or V SS
0.05
3.0
μA
V CC = 5.0V
V IL
Input Low Level (1)
?????
V CC x 0.3
V
V IH
Input High Level
(1)
V CC x 0.7
V CC + 0.5
V
V OL2
V OL1
Output Low Level
Output Low Level
V CC = 3.0V
V CC = 1.8V
I OL = 2.1 mA
I OL = 0.15 mA
0.4
0.2
V
V
Notes:
4
1. V IL min and V IH max are reference only and are not tested.
AT24C128B
5296A–SEEPR–1/08
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