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参数资料
| 型号： | AT24C512B-TH-B |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 4/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 1MHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1456 (CN2011-ZH PDF) |
2. Memory Organization
AT24C512B, 512K SERIAL EEPROM: The 512K is internally organized as 512 pages of 128-bytes each. Random word
addressing requires a 16-bit data word address.
Table 2-1. Pin Capacitance (1)
Applicable over recommended operating range from: T A = 25 ? C, f = 1.0 MHz, V CC = +1.8V to +5.5V
Symbol
C I/O
C IN
Test Condition
Input/Output Capacitance (SDA)
Input Capacitance (A 0 , A 1 , SCL)
Max
8
6
Units
pF
pF
Conditions
V I/O = 0V
V IN = 0V
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
Table 2-2. DC Characteristics
Applicable over recommended operating range from: T AI = –40 ? C to +85 ? C, V CC = +1.8V to +5.5V (unless otherwise noted)
Symbol
V CC1
V CC2
Parameter
Supply Voltage
Supply Voltage
Test Condition
Min
1.8
2.5
Typ
Max
3.6
5.5
Units
V
V
I CC
I CC
I SB1
I SB2
I LI
I LO
V IL
Supply Current
Supply Current
Standby Current
Standby Current
Input Leakage Current
Output Leakage
Current
Input Low Level (1)
V CC = 5.0V
V CC = 5.0V
V CC = 1.8V
V CC = 3.6V
V CC = 2.5V
V CC = 5.5V
V IN = V CC or V SS
V OUT = V CC or V SS
READ at 400 kHz
WRITE at 400 kHz
V IN = V CC or V SS
V IN = V CC or V SS
–0.6
0.10
0.05
2.0
3.0
1.0
3.0
2.0
6.0
3.0
3.0
V CC x 0.3
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
V
V IH
Input High Level
(1)
V CC x 0.7
V CC + 0.5
V
V OL1
V OL2
Output Low Level
Output Low Level
V CC = 1.8V
V CC = 3.0V
I OL = 0.15 mA
I OL = 2.1 mA
0.2
0.4
V
V
Note:
4
1. V IL min and V IH max are reference only and are not tested.
AT24C512B
5297A–SEEPR–1/08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SMA5941BT3G | DIODE ZENER 47V 1.5W SMA |
| GBM18DRTH | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
| SD103BW-13 | DIODE SCHOTTKY 30V 400MW SMD |
| AT24C512B-TH25-B | IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8TSSOP |
| R2S-1509/H-R | CONV DC/DC 2W 15VIN 09VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT24C512B-TH-T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 UMPED DIE 1.8V 11 MIL -NIPDAU 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT24C512BU2-UU-T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1.8V - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT24C512BW-SH25-B | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K 2-WIRE 65 536 x 8 2.5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT24C512BW-SH25-T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K 2-WIRE 65 536 x 8 2.5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT24C512BW-SH-B | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8 EIAJ 2.5V - 8 EIAJ 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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