参数资料
型号: AT24C512BN-SH-B
厂商: Atmel
文件页数: 21/26页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8SOIC
标准包装: 100
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 512K (64K x 8)
速度: 1MHz
接口: I²C,2 线串口
电源电压: 1.8 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 1456 (CN2011-ZH PDF)
AT24C512B
8S2 - EIAJ SOIC
C
1
E
E1
L
N
TOP VIEW
θ
END VIEW
e
A
b
COMMON DIMENSIONS
(Unit of Measure = mm)
D
SIDE VIEW
A1
SYMBOL
A
A1
b
C
D
E1
E
L
θ
e
MIN
1.70
0.05
0.35
0.15
5.13
5.18
7.70
0.51
0?
NOM
1.27 BSC
MAX
2.16
0.25
0.48
0.35
5.35
5.40
8.26
0.85
8?
NOTE
5
5
2, 3
4
Notes: 1.
2.
3.
4.
5.
This drawing is for general information only; refer to EIAJ Drawing EDR-7320 for additional information.
Mismatch of the upper and lower dies and resin burrs aren't included.
It is recommended that upper and lower cavities be equal. If they are different, the larger dimension shall be regarded.
Determines the true geometric position.
Values b,C apply to plated terminal. The standard thickness of the plating layer shall measure between 0.007 to .021 mm.
4/7/06
TITLE
DRAWING NO.
REV.
R
2325 Orchard Parkway
San Jose, CA 95131
8S2 , 8-lead, 0.209" Body, Plastic Small
Outline Package (EIAJ)
8S2
D
21
5297A–SEEPR–1/08
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PDF描述
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S1K-13 RECTIFIER GPP SMD 800V 1A SMA
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参数描述
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