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参数资料
| 型号： | AT24C512BY7-YH-T |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 22/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8SAP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 1MHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SAP（4.9x6.0） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8A2 – TSSOP
3
2 1
Pin 1 indicator
this corner
E1
E
L1
N
L
Top View
End View
COMMON DIMENSIONS
(Unit of Measure = mm)
SYMBOL
MIN
NOM
MAX
NOTE
b
A
D
E
E1
2.90
4.30
3.00
6.40 BSC
4.40
3.10
4.50
2, 5
3, 5
A
–
–
1.20
e
A2
A2
0.80
1.00
1.05
D
b
0.19
–
0.30
4
e
0.65 BSC
Side View
L
0.45
0.60
0.75
L1
1.00 REF
Notes:
1. This drawing is for general information only. Refer to JEDEC Drawing MO-153, Variation AA, for proper dimensions, tolerances,
datums, etc.
2. Dimension D does not include mold Flash, protrusions or gate burrs. Mold Flash, protrusions and gate burrs shall not exceed
0.15 mm (0.006 in) per side.
3. Dimension E1 does not include inter-lead Flash or protrusions. Inter-lead Flash and protrusions shall not exceed 0.25 mm
(0.010 in) per side.
4. Dimension b does not include Dambar protrusion. Allowable Dambar protrusion shall be 0.08 mm total in excess of the
b dimension at maximum material condition. Dambar cannot be located on the lower radius of the foot. Minimum space between
protrusion and ad acent lead is 0.07 mm.
5. Dimension D and E1 to be determined at Datum Plane H.
5/30/02
TITLE
DRAWING NO.
REV.
R
2325 Orchard Parkway
San Jose, CA 95131
8A2 , 8-lead, 4.4 mm Body, Plastic
Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)
8A2
B
22
AT24C512B
5297A–SEEPR–1/08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B33-CX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W |
| RCC12DCMD-S288 | CONN EDGECARD 24POS .100 EXTEND |
| T95D477M6R3HZAS | CAP TANT 470UF 6.3V 20% 2917 |
| AT24C512BW-SH25-T | IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8SOIC |
| VI-B33-CW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT24C512C1-10CC-2.7 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 2-Wire Bus RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT24C512C1-10CI-1.8 | 功能描述:IC EEPROM 512KBIT 400KHZ 8LAP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
| AT24C512C1-10CI-2.7 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 2-Wire Bus RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT24C512C1-10CU-2.7 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:EEPROM Serial-2Wire 512K-bit 64K x 8 3.3V/5V 8-Pin LAP |
| AT24C512C2-10CI-2.7 | 功能描述:IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8LAP 制造商:microchip technology 系列:- 包装:管件 零件状态:停產 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:512Kb （64K x 8） 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:550ns 存储器接口:I2C 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TDFN 供应商器件封装:8-LAP（5x8） 基本零件编号:AT24C512 标准包装:100 |
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