参数资料
型号: AT27BV4096-12VI
厂商: Atmel
文件页数: 6/14页
文件大小: 0K
描述: IC OTP 4MBIT 120NS 40VSOP
标准包装: 160
格式 - 存储器: EPROMs
存储器类型: EPROM OTP
存储容量: 4M (256K x 16)
速度: 120ns
接口: 并联
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V,4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 40-TFSOP(0.488",12.40mm 宽)
供应商设备封装: 40-VSOP
包装: 托盘
其它名称: AT27BV409612VI
9. AC Characteristics for Read Operation
V CC = 2.7V to 3.6V and 4.5V to 5.5V
AT27BV4096-12
Symbol
t ACC (3)
t CE (2)
Parameter
Address to Output Delay
CE to Output Delay
Condition
CE = OE
= V IL
OE = V IL
Min
Max
120
120
Units
ns
ns
t OE
(2)(3)
OE to Output Delay
CE = V IL
35
ns
t DF (4)(5)
t OH
OE or CE High to Output Float, Whichever
Occurred First
Output Hold from Address, CE or OE,
Whichever Occurred First
0
30
ns
ns
10. AC Waveforms for Read Operation (1)
Notes:
6
1. Timing measurement references are 0.8V and 2.0V. Input AC drive levels are 0.45V and 2.4V, unless otherwise specified.
2. OE may be delayed up to t CE - t OE after the falling edge of CE without impact on t CE .
3. OE may be delayed up to t ACC - t OE after the address is valid without impact on t ACC .
4. This parameter is only sampled and is not 100% tested.
5. Output float is defined as the point when data is no longer driven.
6. When reading a AT27BV4096, a 0.1 μF capacitor is required across V CC and ground to suppress spurious voltage
transients.
AT27BV4096
0640E–EPROM–8/07
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