参数资料
| 型号： | AT28C010E-12PC |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1MBIT 120NS 32DIP |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 32-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | AT28C010E12PC |
AT28C010
5. DC and AC Operating Range
AT28C010-12
AT28C010-15
Operating Temperature (Case)
V CC Power Supply
Ind.
-40°C - 85°C
5V ± 10%
-40°C - 85°C
5V ± 10%
6. Operating Modes
Mode
Read
CE
V IL
OE
V IL
WE
V IH
I/O
D OUT
Write
(2)
V IL
V IH
V IL
D IN
Standby/Write Inhibit
Write Inhibit
Write Inhibit
Output Disable
V IH
X
X
X
X (1)
X
V IL
V IH
X
V IH
X
X
High Z
High Z
Notes:
1. X can be V IL or V IH .
2. Refer to AC Programming Waveforms.
7. Absolute Maximum Ratings*
Temperature Under Bias................................ -55°C to +125°C
Storage Temperature ..................................... -65°C to +150°C
All Input Voltages
(including NC Pins)
with Respect to Ground ...................................-0.6V to +6.25V
All Output Voltages
with Respect to Ground .............................-0.6V to V CC + 0.6V
Voltage on OE and A9
with Respect to Ground ...................................-0.6V to +13.5V
8. DC Characteristics
*NOTICE:
Stresses beyond those listed under “Absolute
Maximum Ratings” may cause permanent dam-
age to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any
other conditions beyond those indicated in the
operational sections of this specification is not
implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect
device reliability
Symbol
I LI
I LO
I SB1
I SB2
I CC
Parameter
Input Load Current
Output Leakage Current
V CC Standby Current CMOS
V CC Standby Current TTL
V CC Active Current
Condition
V IN = 0V to V CC + 1V
V I/O = 0V to V CC
CE = V CC - 0.3V to V CC + 1V
CE = 2.0V to V CC + 1V
f = 5 MHz; I OUT = 0 mA
Min
Max
10
10
200
3
40
Units
μ A
μ A
μ A
mA
mA
V IL
V IH
Input Low Voltage
Input High Voltage
2.0
0.8
V
V
V OL
V OH1
V OH2
Output Low Voltage
Output High Voltage
Output High Voltage CMOS
I OL = 2.1 mA
I OH = -400 μA
I OH = -100 μA; V CC = 4.5V
2.4
4.2
0.45
V
V
V
5
0353I–PEEPR–08/09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28C010E-12JI | IC EEPROM 1MBIT 120NS 32PLCC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT28C010E-12PI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 120NS IND TEMP PKG- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C010E-12PU | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 120ns RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C010E-12TC | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 120NS IND TEMP PKG- 120NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C010E-12TI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 120NS IND TEMP PKG- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C010E-12TU | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 IND TEMP GREEN PKG RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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