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参数资料
| 型号： | AT28C010E-12PU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1MBIT 120NS 32DIP |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 32-DIP |
| 包装： | 管件 |
AT28C010
5. DC and AC Operating Range
AT28C010-12
AT28C010-15
Operating Temperature (Case)
V CC Power Supply
Ind.
-40°C - 85°C
5V ± 10%
-40°C - 85°C
5V ± 10%
6. Operating Modes
Mode
Read
CE
V IL
OE
V IL
WE
V IH
I/O
D OUT
Write
(2)
V IL
V IH
V IL
D IN
Standby/Write Inhibit
Write Inhibit
Write Inhibit
Output Disable
V IH
X
X
X
X (1)
X
V IL
V IH
X
V IH
X
X
High Z
High Z
Notes:
1. X can be V IL or V IH .
2. Refer to AC Programming Waveforms.
7. Absolute Maximum Ratings*
Temperature Under Bias................................ -55°C to +125°C
Storage Temperature ..................................... -65°C to +150°C
All Input Voltages
(including NC Pins)
with Respect to Ground ...................................-0.6V to +6.25V
All Output Voltages
with Respect to Ground .............................-0.6V to V CC + 0.6V
Voltage on OE and A9
with Respect to Ground ...................................-0.6V to +13.5V
8. DC Characteristics
*NOTICE:
Stresses beyond those listed under “Absolute
Maximum Ratings” may cause permanent dam-
age to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any
other conditions beyond those indicated in the
operational sections of this specification is not
implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect
device reliability
Symbol
I LI
I LO
I SB1
I SB2
I CC
Parameter
Input Load Current
Output Leakage Current
V CC Standby Current CMOS
V CC Standby Current TTL
V CC Active Current
Condition
V IN = 0V to V CC + 1V
V I/O = 0V to V CC
CE = V CC - 0.3V to V CC + 1V
CE = 2.0V to V CC + 1V
f = 5 MHz; I OUT = 0 mA
Min
Max
10
10
200
3
40
Units
μ A
μ A
μ A
mA
mA
V IL
V IH
Input Low Voltage
Input High Voltage
2.0
0.8
V
V
V OL
V OH1
V OH2
Output Low Voltage
Output High Voltage
Output High Voltage CMOS
I OL = 2.1 mA
I OH = -400 μA
I OH = -100 μA; V CC = 4.5V
2.4
4.2
0.45
V
V
V
5
0353I–PEEPR–08/09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-26N-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 75W |
| AT28C010-12PU | IC EEPROM 1MBIT 120NS 32DIP |
| S3B-13 | RECTIFIER GPP SMD 100V 3A SMC |
| VE-26K-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W |
| R0.25S12-3.309/H-R | CONV DC/DC 0.25W 3.3V IN 9V OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT28C010E-12TC | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 120NS IND TEMP PKG- 120NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C010E-12TI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 120NS IND TEMP PKG- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C010E-12TU | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 IND TEMP GREEN PKG RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C010E-12TU-T | 功能描述:120NS, TSOP, IND TEMP, GREEN 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:1Mb （128K x 8） 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:120ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP 标准包装:1 |
| AT28C010E-12UM/883 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1M bit 电可擦除可编程只读存储器 w/128-Byte Page RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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