参数资料
| 型号： | AT28C010E-12TU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1MBIT 120NS 32TSOP |
| 标准包装： | 156 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
9. AC Read Characteristics
AT28C010-12
AT28C010-15
Symbol
t ACC
t CE (1)
t OE (2)
t DF (3)(4)
t OH
t CEPH(5)
Parameter
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
CE or OE to Output Float
Output Hold from OE, CE or Address, Whichever
Occurred First
CE Pulse High Time
Min
0
0
0
50
Max
120
120
50
50
Min
0
0
0
50
Max
150
150
55
55
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10. AC Read Waveforms (1)(2)(3)(4)
tCEPH
Notes:
6
1. CE may be delayed up to t ACC - t CE after the address transition without impact on t ACC .
2. OE may be delayed up to t CE - t OE after the falling edge of CE without impact on t CE or by t ACC - t OE after an address change
without impact on t ACC .
3. t DF is specified from OE or CE whichever occurs first (C L = 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
5. If CE is de-asserted, it must remain de-asserted for at least 50ns during read operations otherwise incorrect data may be
read.
AT28C010
0353I–PEEPR–08/09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| AT28C010E-15EM/883 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 Parallel 电可擦除可编程只读存储器 5V-150NS, 883c RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C010E-15JC | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 120NS IND TEMP PKG- 150NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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