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参数资料
| 型号： | AT28C64-12 |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 64K的8K的× 8电池电压的CMOS E2PROM的 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | AT28C64-12 |
AT28C64-12
AT28C64-15
AT28C64-20
AT28C64-25
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
t
ACC
t
CE
(1)
t
OE
(2)
Address to Output Delay
120
150
200
250
ns
CE to Output Delay
120
150
200
250
ns
OE to Output Delay
10
60
10
70
10
80
10
100
ns
t
DF (3, 4)
CE or OE High to Output
Float
0
45
0
50
0
55
0
60
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE
or Address, whichever
occurred first
0
0
0
0
ns
AC Read Characteristics
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
Input Test Waveforms and
Measurement Level
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first
(C
L
= 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Waveforms
(1, 2, 3, 4)
t
R
, t
F
< 20 ns
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Output Test Load
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
C
OUT
4
6
pF
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
8
12
pF
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AT28C64/X
2-197
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PDF描述 |
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