参数资料
型号: AT28C64-12JC
厂商: ATMEL CORP
元件分类: DRAM
英文描述: 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
中文描述: 8K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PQCC32
封装: PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
文件页数: 8/11页
文件大小: 312K
代理商: AT28C64-12JC
2-200
AT28C64/X
相关PDF资料
PDF描述
AT28C64-12JI 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28C64-12PC 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28C64-12PI 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28C64-12SC 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28C64-12SI 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
相关代理商/技术参数
参数描述
AT28C64-12JI 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K 5V w/RDYBSY - 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
AT28C64-12PC 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K 5V w/RDYBSY- 120NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
AT28C64-12PI 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K 5V w/RDYBSY- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
AT28C64-12SC 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K 5V w/RDYBSY- 120NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
AT28C64-12SI 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K 5V w/RDYBSY- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8