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参数资料
| 型号： | AT28C64E-12SC |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 8K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDSO28 |
| 封装： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | AT28C64E-12SC |
Package Type
32J
32 Lead, Plastic J-Leaded Chip Carrier (PLCC)
28P6
28 Lead, 0.600" Wide, Plastic Dual Inline Package (PDIP)
28S
28 Lead, 0.300" Wide, Plastic Gull Wing, Small Outline (SOIC)
28T
28 Lead, Plastic Thin Small Outline Package (TSOP)
W
Die
Options
Blank
Standard Device: Endurance = 10K Write Cycles; Write Time = 1 ms
High Endurance Option: Endurance = 100K Write Cycles; Write Time = 200
μ
s
E
2-202
AT28C64/X
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28C64E-12SI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT28C64E-12SI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K HI-ENDURANCE w/RDYBSY-120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C64E-12SU | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K HI-ENDUR w/RDYBSY - 120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C64E-12TC | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:64K (8K x 8) CMOS E2PROM |
| AT28C64E-12TI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K HI-ENDURANCE w/RDYBSY-120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C64E-12TU | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K HI-ENDUR w/RDYBSY - 120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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