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参数资料
| 型号： | AT28C64E-20PC |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PDIP28 |
| 封装： | 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | AT28C64E-20PC |
2-200
AT28C64/X
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28C64E-20PI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-20SC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-20SI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-20TC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-20TI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT28C64E-20PI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K HI-ENDUR w/RDYBSY - 200NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C64E-20SC | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K HI-ENDUR w/ RDYBSY 200NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C64E-20SI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K HI-ENDUR w/RDYBSY - 200NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28C64E-20TC | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:64K 8K x 8 CMOS E2PROM |
| AT28C64E-20TI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K HI-ENDUR w/RDYBSY - 200NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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