参数资料
型号: AT28HC256-12SU
厂商: Atmel
文件页数: 11/24页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC
标准包装: 27
格式 - 存储器: EEPROMs - 并行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 120ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 28-SOIC W
包装: 管件
产品目录页面: 1458 (CN2011-ZH PDF)
AT28HC256
22. Data Polling Characteristics (1)
Symbol
t DH
t OEH
Parameter
Data Hold Time
OE Hold Time
Min
0
0
Typ
Max
Units
ns
ns
OE to Output Delay
t OE
(2)
ns
t WR
Notes:
Write Recovery Time
1. These parameters are characterized and not 100% tested.
0
ns
2. See “AC Read Characteristics” on page 6 .
23. Data Polling Waveforms
24. Toggle Bit Characteristics (1)
Symbol
t DH
t OEH
Parameter
Data Hold Time
OE Hold Time
Min
10
10
Typ
Max
Units
ns
ns
t OE
OE to Output Delay (2)
ns
t OEHP
t WR
Notes:
OE High Pulse
Write Recovery Time
1. These parameters are characterized and not 100% tested.
150
0
ns
ns
2. See “AC Read Characteristics” on page 6 .
25. Toggle Bit Waveforms
Notes:
1. Toggling either OE or CE or both OE and CE will operate toggle bit.
2. Beginning and ending state of I/O6 will vary.
3. Any address location may be used but the address should not vary.
11
0007N–PEEPR–9/09
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PDF描述
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参数描述
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AT28HC256-12SU-T 功能描述:120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字,页:10ms 访问时间:120ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:28-SOIC 标准包装:1
AT28HC256-12TA 功能描述:IC EEPROM 256KBIT 120NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA(7x7) 包装:托盘
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AT28HC256-12TI 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256K 5V SDP- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8