参数资料
型号: AT28HC64B-70TI
厂商: ATMEL CORP
元件分类: DRAM
英文描述: High Speed CMOS Logic Dual Binary Up-Counters 16-SOIC -55 to 125
中文描述: 8K X 8 EEPROM 5V, 70 ns, PDSO28
封装: 8 X 13.40 MM, PLASTIC, MO-183, TSOP1-28
文件页数: 5/12页
文件大小: 661K
代理商: AT28HC64B-70TI
AT28HC64B-55
AT28HC64B-70
AT28HC64B-90 AT28HC64B-120
Symbol Parameter
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
t
ACC
t
CE (1)
t
OE (2)
t
DF
(3, 4)
t
OH
Address to Output Delay
55
70
90
120
ns
CE to Output Delay
55
70
90
120
ns
OE to Output Delay
0
30
0
35
0
40
0
50
ns
OE to Output Float
0
30
0
35
0
40
0
50
ns
Output Hold
0
0
0
0
ns
AC Read Characteristics
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE, whichever occurs first
(C
L
= 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Waveforms
(1, 2, 3, 4)
t
R
, t
F
< 5ns
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
C
OUT
4
6
pF
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
8
12
pF
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AT28HC64B
2-271
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