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参数资料
| 型号： | AT28HC64B-90JC |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 8K X 8 EEPROM 5V, 90 ns, PQCC32 |
| 封装： | PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 661K |
| 代理商： | AT28HC64B-90JC |
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
Write Cycle Time
10
ms
Address Set-up Time
0
ns
Address Hold Time
50
ns
Data Set-up Time
50
ns
Data Hold Time
0
ns
Write Pulse Width
100
ns
μ
s
ns
Byte Load Cycle Time
150
Write Pulse Width High
50
Page Mode Characteristics
Chip Erase Waveforms
t
S
= t
H
= 5
μ
sec (min.)
t
W
= 10 msec (min.)
V
H
= 12.0V
±
0.5V
Page Mode Write Waveforms
(1, 2)
Notes: 1. A6 through A12 must specify the same page address during each high to low transition of WE (or CE).
2. OE must be high only when WE and CE are both low.
AT28HC64B
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PDF描述 |
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参数描述 |
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