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参数资料
| 型号： | AT28LV010-20PC |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDIP32 |
| 封装： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | AT28LV010-20PC |
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
Write Cycle Time
10
ms
Address Set-up Time
0
ns
Address Hold Time
100
ns
Data Set-up Time
100
ns
Data Hold Time
10
ns
Write Pulse Width
200
ns
μ
s
ns
Byte Load Cycle Time
150
Write Pulse Width High
100
Software Protected Write Characteristics
Software Protected Program Cycle Waveforms
(1, 2, 3)
Notes: 1. A0 - A14 must conform to the addressing sequence for the first 3-bytes as shown above.
2. After the command sequence has been issued and a page write operation follows, the page address inputs (A7 - A16)
must be the same for each high to low transition of WE (or CE).
3. OE must be high only when WE and CE are both low.
LOAD LAST BYTE
TO
LAST ADDRESS
(3)
LOAD DATA A0
TO
ADDRESS 5555
LOAD DATA 55
TO
ADDRESS 2AAA
LOAD DATA AA
TO
ADDRESS 5555
Notes:
1. Data Format: I/O7 - I/O0 (Hex);
Address Format: A14 - A0 (Hex).
2. Data protect state will be re-activated at the end of program
cycle.
3. 1 to 128-bytes of data are loaded.
ENTER DATA
PROTECT STATE
WRITES ENABLED
(2)
Programming Algorithm
LOAD DATA XX
TO
ANY ADDRESS
(3)
AT28LV010
2-161
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PDF描述 |
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| AT28LV010-20TI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1M 3V SDP- 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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