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参数资料
| 型号： | AT28LV010-20TI |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO32 |
| 封装： | 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | AT28LV010-20TI |
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
AS
, t
OES
t
AH
t
CS
t
CH
t
WP
t
DS
t
DH
, t
OEH
Address, OE Set-up Time
0
ns
Address Hold Time
100
ns
Chip Select Set-up Time
0
ns
Chip Select Hold Time
0
ns
Write Pulse Width (WE or CE)
200
ns
Data Set-up Time
100
ns
Data, OE Hold Time
10
ns
Note:
1. All write operations must be preceded by the SDP command sequence.
AC Write Characteristics
(1)
AC Write Waveforms
WE Controlled
CE Controlled
2-160
AT28LV010
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AT28LV010-20TU-319 | 功能描述:IC EEPROM 1MBIT 200NS 32TSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:1Mb （128K x 8） 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:200ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP 标准包装:156 |
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