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参数资料
| 型号： | AT28LV256-25TI |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 32K X 8 EEPROM 3V, 250 ns, PDSO28 |
| 封装： | PLASTIC, TSOP-28 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 602K |
| 代理商： | AT28LV256-25TI |
AC Read Characteristics
AT28LV256-20
AT28LV256-25
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Units
t
ACC
t
CE (1)
t
OE
(2)
t
DF (3, 4)
Address to Output Delay
200
250
ns
CE to Output Delay
200
250
ns
OE to Output Delay
0
80
0
100
ns
CE or OE to Output Float
0
55
0
60
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE or
Address, whichever occurred first
0
0
ns
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first
(C
L
= 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Waveforms
(1, 2, 3, 4)
t
R
, t
F
< 20 ns
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
C
OUT
4
6
pF
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
8
12
pF
Note: 1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
AT28LV256
2-149
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PDF描述 |
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