参数资料
型号: AT45DB021B-SC
厂商: Atmel
文件页数: 3/32页
文件大小: 0K
描述: IC FLASH 2MBIT 20MHZ 8SOIC
标准包装: 95
格式 - 存储器: 闪存
存储器类型: DataFLASH
存储容量: 2M(1024 页 x 264 字节)
速度: 20MHz
接口: SPI 3 线串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
AT45DB021B
3. Block Diagram
WP
PAGE (264 BYTES)
FLASH MEMORY ARRAY
SCK
CS
RESET
VCC
GND
BUFFER 1 (264 BYTES)
I/O INTERFACE
BUFFER 2 (264 BYTES)
RDY/BUSY
SI
SO
4. Memory Array
To provide optimal flexibility, the memory array of the AT45DB021B is divided into three levels of
granularity comprised of sectors, blocks and pages. The Memory Architecture Diagram illus-
trates the breakdown of each level and details the number of pages per sector and block. All
program operations to the DataFlash occur on a page-by-page basis; however, the optional
erase operations can be performed at the block or page level.
Figure 4-1.
Memory Architecture Diagram
SECTOR ARCHITECTURE
BLOCK ARCHITECTURE
PAGE ARCHITECTURE
SECTOR 0a = 8 Pages
SECTOR 0
BLOCK 0
BLOCK 1
8 Pages
PAGE 0
PAGE 1
2112 bytes (2K + 64)
SECTOR 0b = 248 Pages
BLOCK 2
PAGE 6
65,472 bytes (62K + 1984)
BLOCK 30
BLOCK 31
BLOCK 32
PAGE 7
PAGE 8
PAGE 9
BLOCK 33
SECTOR 0c = 256 Pages
67,584 bytes (64K + 2K)
PAGE 14
PAGE 15
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
PAGE 16
PAGE 17
PAGE 18
BLOCK 65
SECTOR 1 = 512 Pages
135,168 bytes (128K + 4K)
PAGE 1021
BLOCK 126
BLOCK 127
Block = 2112 bytes
(2K + 64)
PAGE 1022
PAGE 1023
Page = 264 bytes
(256 + 8)
3
1937J–DFLSH–9/05
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PDF描述
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