参数资料
| 型号： | AT45DB041B-SI |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 9/35页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 4MBIT 20MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 4M（2048 页 x 264 字节） |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页当前第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页
AT45DB041B
take place in a maximum time of t EP . During this time, the status register will indicate that the
part is busy.
If a sector is programmed or reprogrammed sequentially page-by-page, then the programming
algorithm shown in Figure 17-1 on page 27 is recommended. Otherwise, if multiple bytes in a
page or several pages are programmed randomly in a sector, then the programming algorithm
shown in Figure 17-2 on page 28 is recommended. Each page within a sector must be
updated/rewritten at least once within every 10,000 cumulative page erase/program operations
in that sector.
5.4
Operation Mode Summary
The modes described can be separated into two groups – modes which make use of the Flash
memory array (Group A) and modes which do not make use of the Flash memory array (Group
B).
Group A modes consist of:
1. Main Memory Page Read
2. Main Memory Page to Buffer 1 (or 2) Transfer
3. Main Memory Page to Buffer 1 (or 2) Compare
4. Buffer 1 (or 2) to Main Memory Page Program with Built-in Erase
5. Buffer 1 (or 2) to Main Memory Page Program without Built-in Erase
6. Page Erase
7. Block Erase
8. Main Memory Page Program through Buffer
9. Auto Page Rewrite
Group B modes consist of:
1. Buffer 1 (or 2) Read
2. Buffer 1 (or 2) Write
3. Status Register Read
If a Group A mode is in progress (not fully completed) then another mode in Group A should not
be started. However, during this time in which a Group A mode is in progress, modes in Group B
can be started.
This gives the Serial DataFlash the ability to virtually accommodate a continuous data stream.
While data is being programmed into main memory from buffer 1, data can be loaded into buffer
2 (or vice versa). See application note AN-4 (“Using Atmel’s Serial DataFlash”) for more details.
9
3443D–DFLSH–2/08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT45DB041B-SC | IC FLASH 4MBIT 20MHZ 8SOIC |
| AT45DB041B-RI | IC FLASH 4MBIT 20MHZ 28SOIC |
| AT45DB041B-RC | IC FLASH 4MBIT 20MHZ 28SOIC |
| AT45DB041B-CI | IC FLASH 4MBIT 20MHZ 14CBGA |
| AT45DB041B-CC | IC FLASH 4MBIT 20MHZ 14CBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT45DB041B-SI-2.5 | 功能描述:闪存 4MB WAFER 7 MIL - 2.5V IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB041B-SU | 功能描述:闪存 4MBIT WAFER 7 MIL IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB041B-TC | 功能描述:闪存 4M bit RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB041B-TC-2.5 | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 20MHZ 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
| AT45DB041B-TI | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 20MHZ 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:32 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:1M (128K x 8) 速度:120ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商设备封装:32-PLCC 包装:管件 其它名称:AT49BV00112JC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。