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参数资料
| 型号： | AT45DB081B-CNU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 26/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 8MBIT 20MHZ 8CASON |
| 标准包装： | 338 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 8M（4096 页 x 264 字节） |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-CASON |
| 供应商设备封装： | 8-CASON（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
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Figure 1. Algorithm for Sequentially Programming or Reprogramming the Entire Array
START
provide address
and data
BUFFER WRITE
(84H, 87H)
MAIN MEMORY PAGE PROGRAM
THROUGH BUFFER
(82H, 85H)
BUFFER TO MAIN
MEMORY PAGE PROGRAM
(83H, 86H)
END
Notes:
26
1. This type of algorithm is used for applications in which the entire array is programmed sequentially, filling the array page-by-
page.
2. A page can be written using either a Main Memory Page Program operation or a Buffer Write operation followed by a Buffer
to Main Memory Page Program operation.
3. The algorithm above shows the programming of a single page. The algorithm will be repeated sequentially for each page
within the entire array.
AT45DB081B
2225J–DFLSH–2/08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95X226M004ESAL | CAP TANT 22UF 4V 20% 2910 |
| GBC31DCSD | CONN EDGECARD 62POS DIP .100 SLD |
| T95X226K6R3ESAL | CAP TANT 22UF 6.3V 10% 2910 |
| T95X226K004ESAL | CAP TANT 22UF 4V 10% 2910 |
| 1485BTQ | WIREWAY TOP OPENING 2.5X2.5" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT45DB081B-CNU-2.5 | 功能描述:闪存 8M SERIAL 2.7V - 2.5V IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB081B-CU | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:8-megabit 2.5-volt Only or 2.7-volt Only DataFlash |
| AT45DB081B-RC | 功能描述:闪存 8M bit RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB081B-RC-2.5 | 功能描述:闪存 DATAFLASH 2M SERIAL 2.7V 2.5V COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB081B-RI | 功能描述:闪存 DATAFLASH 2M SERIAL 2.7V 2.7V IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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