- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20430 > AT45DB321C-CNU (Atmel)IC FLASH 32MBIT 40MHZ 8CASON PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AT45DB321C-CNU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 3/40页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 32MBIT 40MHZ 8CASON |
| 标准包装： | 338 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 32M（8192 页 x 528 字节） |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-CASON |
| 供应商设备封装： | 8-CASON（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页当前第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页
AT45DB321C
3. Block Diagram
W P
PAGE (52 8 BYTES)
FLASH MEMORY ARRAY
SCK
CS
RESET
V CC
G N D
BUFFER 1 (52 8 BYTES)
I/O I N TERFACE
BUFFER 2 (52 8 BYTES)
RDY/BUSY
SI
SO
4. Memory Array
To provide optimal flexibility, the memory array of the AT45DB321C is divided into three levels of
granularity comprising of sectors, blocks, and pages. The “Memory Architecture Diagram” illus-
trates the breakdown of each level and details the number of pages per sector and block. All
program operations to the DataFlash occur on a page by page basis. The erase operations can
be performed at the block or page level.
Figure 4-1.
Memory Architecture Diagram
SECTOR ARCHITECTURE
BLOCK ARCHITECTURE
PAGE ARCHITECTURE
SECTOR 0a = 8 Pages
4224 bytes (4K + 128)
SECTOR 0a
BLOCK 0
BLOCK 1
8 Pages
PAGE 0
PAGE 1
BLOCK 2
SECTOR 0b = 504 Pages
266,112 bytes (252K + 8064)
PAGE 6
BLOCK 62
PAGE 7
SECTOR 1 = 512 Pages
270,336 bytes (256K + 8K)
BLOCK 63
BLOCK 64
PAGE 8
PAGE 9
BLOCK 65
SECTOR 2 = 512 Pages
270,336 bytes (256K + 8K)
BLOCK 126
BLOCK 127
BLOCK 128
PAGE 14
PAGE 15
PAGE 16
PAGE 17
PAGE 18
SECTOR 14 = 512 Pages
270,336 bytes (256K + 8K)
SECTOR 15 = 512 Pages
BLOCK 129
PAGE 8189
270,336 bytes (256K + 8K)
BLOCK 1022
BLOCK 1023
Block = 4224 bytes
(4K + 128)
PAGE 8190
PAGE 8191
Page = 528 bytes
(512 + 16)
3
3387M–DFLASH–2/08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 305-056-500-201 | CONN CARDEDGE 56POS .156 GREEN |
| ECM10DRYI-S13 | CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND |
| VE-B3N-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 75W |
| EBA15DRMD | CONN EDGECARD 30POS .125 SQ WW |
| RS-4815SZ/H3 | CONV DC/DC 2W 18-72VIN 15VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT45DB321C-CU | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 40MHZ 24CBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| AT45DB321-CI | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:32-Megabit 2.7-volt Only Serial DataFlash |
| AT45DB321C-RC | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 40MHZ 28SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| AT45DB321C-RI | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:32 MEGABIT 2.7 VOLT DATAFLASH |
| AT45DB321C-RU | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 40MHZ 28SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。