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参数资料
| 型号： | AT49F002N |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 2-Megabit 256K x 8 5-volt Only Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位256K × 8 5伏只有闪存 |
| 文件页数： | 12/20页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | AT49F002N |
12
3354F–FLASH–2/05
AT49F002A(N)(T)
18. Program Cycle Waveforms
19. Sector or Chip Erase Cycle Waveforms
Notes:
1. OE must be high only when WE and CE are both low.
2. For chip erase, the address should be 555. For sector erase, the address depends on what sector is to be erased.
(See note 4 under command definitions.)
3. For chip erase, the data should be 10H, and for sector erase, the data should be 30H.
17. Program Cycle Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
t
BP
Byte Programming Time
20
50
μs
t
AS
Address Set-up Time
0
ns
t
AH
Address Hold Time
25
ns
t
DS
Data Set-up Time
25
ns
t
DH
Data Hold Time
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
25
ns
t
WPH
Write Pulse Width High
20
ns
t
EC
Erase Cycle Time
4
8
seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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