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参数资料
| 型号： | AT49LW040-33TC |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8-megabit and 4-megabit Firmware Hub Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| 封装： | 10 X 20 MM, PLASTIC, MO-142CD, TSOP1-40 |
| 文件页数： | 26/34页 |
| 文件大小： | 465K |
| 代理商： | AT49LW040-33TC |
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26
AT49LW080/040
1966C
–
FLASH
–
03/02
Note:
1. The input test environment is done with 0.1 V
CC
of overdrive over V
IH
and V
IL
. Timing parameters must be met with no more
overdrive than this. V
max
specifies the maximum peak-to-peak waveform allowed for measuring the input timing. Production
testing may use different voltage values, but must correlate results back to these parameters.
Note:
1. A reset latency of 20 μs will occur if a reset procedure is performed during a programming or erase operation.
AC Waveform for Reset Operation
Notes:
1. Typical values measured at T
A
= +25
°
C and nominal voltages.
2. Excludes system-level overhead.
Interface Measurement Condition Parameters
Symbol
Value
Units
V
th
(1)
0.6 V
CC
V
V
tl
(1)
0.2 V
CC
V
V
test
0.4 V
CC
V
V
max
(1)
0.4 V
CC
V
Input Signal Edge Rate
1 V/ns
Reset Operations
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
t
PLPH
(1)
RST or INIT Pulse Low Time (If RST or INIT is tied to V
CC
, this
specification is not applicable)
100
ns
Sector Programming Times
Parameter
3.3V V
PP
12V V
PP
Unit
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
Byte Program Time
(2)
30.0
300
12.0
125
μs
Sector Program Time
(2)
2.0
20.0
0.8
8.0
sec
Sector Erase Time
(2)
0.8
1.0
0.35
0.5
sec
V
IH
V
IL
RST
t
PLPH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT49LW080 | 8-megabit and 4-megabit Firmware Hub Flash Memory |
| AT49LW080-33JC | 8-megabit and 4-megabit Firmware Hub Flash Memory |
| AT49LW080-33TC | 8-megabit and 4-megabit Firmware Hub Flash Memory |
| AT49SN12804 | 128-megabit (8M x 16) Burst/Page Mode 1.8-volt Flash Memory |
| AT49SN12804-70CI | 128-megabit (8M x 16) Burst/Page Mode 1.8-volt Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT49LW080-33JC | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 32PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| AT49LW080-33JC SL383 | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 32PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| AT49LW080-33JC-T | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 32PLCC 制造商:microchip technology 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH 存储容量:8Mb （1M x 8） 时钟频率:33MHz 写周期时间 - 字，页:300μs 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:32-PLCC 基本零件编号:AT49LW080 标准包装:750 |
| AT49LW080-33JX | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 32PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| AT49LW080-33JX SL383 | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 32PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
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