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参数资料
| 型号： | AT89C51CC03C-RDTIM |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | Enhanced 8-bit MCU with CAN Controller and Flash Memory |
| 中文描述： | 8-BIT, FLASH, 60 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | VQFP-64 |
| 文件页数： | 15/24页 |
| 文件大小： | 1379K |
| 代理商： | AT89C51CC03C-RDTIM |
AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack
Conclusions:
Rev. 0 – 2003 July
15
-
-
-
Vt_wrt shift of 200 mV after 10k cycles
I_read decrease of 2.5 uA after 10kcycles (- 7 to 9 %)
No big difference between bit0 and bit 7 in terms of Vt or current variations Using the coefficients
4.3.4.2 Cell retention
Purpose:
To extrapolate cell life duration at 125°C from bake measurements at high temperature.
Test parameters:
Lot:
9T0930
Temperature: 250°C and 200°C
Duration:
92 hours
Lifetime Prediction:
The equation used to describe memory cell retention is:
DVt (V) = A * (t[h])^m * exp (-1.05eV/kT[K])
Results :
56.8k cell - 9t0930 (#24/25)
y = 0,2138Ln(x) - 2,3118
y = 0,2211Ln(x) - 4,8026
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
10
100
Bake time (h)
l
200C
250C
150,0
170,0
190,0
210,0
230,0
250,0
270,0
290,0
1
10
100
1000
10000
100000
time (h)
T
Test measurements
Extrapolated Life Time
Conclusions :
Extrapolation to 125°C - 10years = Vt loss is less than 0.8 mV
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