参数资料
型号: AT89C51CC03CA-RDTUM
厂商: Atmel
文件页数: 130/198页
文件大小: 0K
描述: IC 8051 MCU 64K FLASH 64-VQFP
产品培训模块: MCU Product Line Introduction
标准包装: 800
系列: AT89C CAN
核心处理器: 8051
芯体尺寸: 8-位
速度: 40MHz
连通性: CAN,SPI,UART/USART
外围设备: POR,PWM,WDT
输入/输出数: 36
程序存储器容量: 64KB(64K x 8)
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 大小: 2K x 8
RAM 容量: 2.25K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 5.5 V
数据转换器: A/D 8x10b
振荡器型: 外部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 44-LQFP
包装: 托盘
配用: AT89OCD-01-ND - USB EMULATOR FOR AT8XC51 MCU
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页当前第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页
37
AT89C51CC03
4182O–CAN–09/08
EEPROM Data
Memory
The 2-Kbyte on-chip EEPROM memory block is located at addresses 0000h to 07FFh of
the XRAM/ERAM memory space and is selected by setting control bits in the EECON
register. A read in the EEPROM memory is done with a MOVX instruction.
A physical write in the EEPROM memory is done in two steps: write data in the column
latches and transfer of all data latches into an EEPROM memory row (programming).
The number of data written on the page may vary from 1 up to 128 Bytes (the page
size). When programming, only the data written in the column latch is programmed and
a ninth bit is used to obtain this feature. This provides the capability to program the
whole memory by Bytes, by page or by a number of Bytes in a page. Indeed, each ninth
bit is set when the writing the corresponding byte in a row and all these ninth bits are
reset after the writing of the complete EEPROM row.
Write Data in the Column
Latches
Data is written by byte to the column latches as for an external RAM memory. Out of the
11 address bits of the data pointer, the 4 MSBs are used for page selection (row) and 7
are used for byte selection. Between two EEPROM programming sessions, all the
addresses in the column latches must stay on the same page, meaning that the 4 MSB
must no be changed.
The following procedure is used to write to the column latches:
Save and disable interrupt.
Set bit EEE of EECON register
Load DPTR with the address to write
Store A register with the data to be written
Execute a MOVX @DPTR, A
If needed loop the three last instructions until the end of a 128 Bytes page
Restore interrupt.
Note:
The last page address used when loading the column latch is the one used to select the
page programming address.
Programming
The EEPROM programming consists of the following actions:
writing one or more Bytes of one page in the column latches. Normally, all Bytes
must belong to the same page; if not, the first page address will be latched and the
others discarded.
launching programming by writing the control sequence (50h followed by A0h) to the
EECON register.
EEBUSY flag in EECON is then set by hardware to indicate that programming is in
progress and that the EEPROM segment is not available for reading.
The end of programming is indicated by a hardware clear of the EEBUSY flag.
Note:
The sequence 5xh and Axh must be executed without instructions between then other-
wise the programming is aborted.
Read Data
The following procedure is used to read the data stored in the EEPROM memory:
Save and disable interrupt
Set bit EEE of EECON register
Load DPTR with the address to read
Execute a MOVX A, @DPTR
Restore interrupt
相关PDF资料
PDF描述
VI-JV0-IY-F3 CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W
VI-JV0-IY-F2 CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W
VI-JV0-IY-F1 CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W
MUSB2A111014BP DUST COVER FOR MUSB TYPE A GRAY
MUSB2E151005BP CONN DUST COVER FOR MINI USB
相关代理商/技术参数
参数描述
AT89C51CC03CA-RDTZM 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Enhanced 8-bit MCU with CAN Controller and Flash Memory
AT89C51CC03CA-RLTIM 制造商:Atmel Corporation 功能描述:
AT89C51CC03CA-RLTUM 功能描述:8位微控制器 -MCU CAN C51 64K FLASH CAN BOOT RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
AT89C51CC03CA-RLTZM 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Enhanced 8-bit MCU with CAN Controller and Flash Memory
AT89C51CC03CA-S3SUM 功能描述:8位微控制器 -MCU CAN C51 64K FLASH CAN BOOT RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT