参数资料
型号: AT89C51ED2-RDTUM
厂商: Atmel
文件页数: 126/137页
文件大小: 0K
描述: IC 8051 MCU FLASH 64K 64VQFP
产品培训模块: MCU Product Line Introduction
标准包装: 800
系列: 89C
核心处理器: 8051
芯体尺寸: 8-位
速度: 60MHz
连通性: SPI,UART/USART
外围设备: POR,PWM,WDT
输入/输出数: 50
程序存储器容量: 64KB(64K x 8)
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 大小: 2K x 8
RAM 容量: 2K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 2.7 V ~ 5.5 V
振荡器型: 外部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 44-LQFP
包装: 托盘
配用: AT89OCD-01-ND - USB EMULATOR FOR AT8XC51 MCU
89
4235K–8051–05/08
AT89C51RD2/ED2
23. EEPROM Data Memory
This feature is available only for the AT89C51ED2 device.
The 2K bytes on-chip EEPROM memory block is located at addresses 0000h to 07FFh of the
XRAM/ERAM memory space and is selected by setting control bits in the EECON register.
A read or write access to the EEPROM memory is done with a MOVX instruction.
23.1
Write Data
Data is written by byte to the EEPROM memory block as for an external RAM memory.
The following procedure is used to write to the EEPROM memory:
Check EEBUSY flag
If the user application interrupts routines use XRAM memory space: Save and disable
interrupts.
Load DPTR with the address to write
Store A register with the data to be written
Set bit EEE of EECON register
Execute a MOVX @DPTR, A
Clear bit EEE of EECON register
Restore interrupts.
EEBUSY flag in EECON is then set by hardware to indicate that programming is in progress
and that the EEPROM segment is not available for reading or writing.
The end of programming is indicated by a hardware clear of the EEBUSY flag.
Figure 23-1 represents the optimal write sequence to the on-chip EEPROM data memory.
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AT89C51ED2-SLRIM 功能描述:IC MCU FLASH 8051 64K 5V 44-PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:89C 标准包装:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心处理器:AVR 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:I²C,LIN,SPI,UART/USART,USI 外围设备:欠压检测/复位,POR,PWM,温度传感器,WDT 输入/输出数:16 程序存储器容量:8KB(4K x 16) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 11x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 包装:带卷 (TR)