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参数资料
| 型号： | AT93C66A-10PU-2.7 |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 16/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K（512 x 8 或 256 x 16） |
| 速度： | 1MHz，2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1457 (CN2011-ZH PDF) |
8.3
8S2 – EIAJ SOIC
C
C
1
1
E
E
E1
E1
N
N
L
L
Top View
TOP VIEW
?
θ
e
e
A
b
A
b
End View
END VIEW
COMMON DIMENSIONS
(Unit of Measure =
COMMON DIMENSIONS mm)
(Unit of Measure = mm)
SYMBOL MIN NOM MAX
NOTE
NOM
A1
SYMBOL A MIN
1.70
MAX 2.16 NOTE
A1
A
A1 1.70
0.05
2.16 0.25
A1
b
b 0.05
C 0.35
0.35
0.15
0.25 0.48
0.48 0.35 5
5
5
D
C
D
D 0.15
E1 5.13
5.13
5.18
0.35 5.35 5
5.35 5.40
2, 3
D
Side View
SIDE VIEW
E1
E
L
θ
E
L
?
e
5.18
7.70
0.51
0?
7.70
0.51
0?
5.40
8.26
0.85
1.27 BSC
8?
8.26
0.85
8?
2, 3
4
e 1.27 BSC
Notes: 1.
2.
This drawing is for general information only; refer to EIAJ Drawing EDR-7320 for additional information.
Mismatch of the upper and lower dies and resin burrs are not included.
4
Notes: 1.
Values b and C apply to pb/Sn solder plated terminal. The standard thickness of the solder layer shall be 0.010 +0.010/ ? 0.005 mm.
3.
4.
2. 5.
It is recommended that upper and lower cavities be equal. If they are different, the larger dimension shall be regarded.
This drawing is for general position.
Determines the true geometric information only; refer to EIAJ Drawing EDR-7320 for additional information.
Mismatch of the upper and lower dies and resin burrs aren't included.
8S2 , 8-lead, 0.209" Body, Plastic Small
8S2 C
Outline Package (EIAJ)
San Jose, CA 95131
04/07/06
3. It is recommended that upper and lower cavities be equal. If they are different, the larger dimension shall be regarded. 10/7/03
4. Determines the true geometric position.
The NO. mm.0.007 to
5. Values b,C apply to plated terminal. TITLE standard thickness of the plating layer shall measure between DRAWING .021 REV.
2325 Orchard Parkway
R
R
2325 Orchard Parkway
San Jose, CA 95131
TITLE
8S2, 8-lead, 0.209" Body, Plastic Small
Outline Package (EIAJ)
DRAWING NO.
8S2
REV.
D
16
AT93C56A/66A
3378O–SEEPR–11/09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AT93C66A-10SI-2.7 SL383 | 功能描述:IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
| AT93C66A-10SI-2.7-T | 功能描述:IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:4Kb （512 x 8，256 x 16） 时钟频率:2MHz 写周期时间 - 字，页:10ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 基本零件编号:AT93C66 标准包装:3,000 |
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