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参数资料
型号： ATF-36163-BLK
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： PLASTIC, SC-70, 6 PIN
文件页数： 7/11页
文件大小： 110K
代理商： ATF-36163-BLK
5
ATF-36163 Typical Scattering Parameters, Common Source, Z
O = 50 , VDS = 2.0 V, ID = 10 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
K
Gmax[1]
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag. Ang.
Mag.
Ang.
–
dB
0.5
0.99
-11
13.06
4.50
168
-37.72
0.01
79
0.55
-9
0.11
25.46
1
0.99
-22
12.90
4.42
158
-32.04
0.03
71
0.55
-18
0.16
22.46
2
0.96
-42
12.69
4.31
138
-26.38
0.05
56
0.53
-35
0.24
19.50
3
0.93
-62
12.57
4.25
118
-22.97
0.07
40
0.50
-52
0.32
17.77
4
0.87
-83
12.51
4.22
97
-20.72
0.09
23
0.44
-70
0.42
16.61
5
0.81
-106
12.38
4.16
76
-18.94
0.11
6
0.38
-90
0.51
15.67
6
0.75
-131
12.15
4.05
55
-17.79
0.13
-12
0.31
-112
0.58
14.98
7
0.67
-157
11.70
3.84
33
-17.08
0.14
-30
0.21
-137
0.69
14.38
8
0.60
176
11.25
3.65
13
-16.65
0.15
-44
0.13
-168
0.79
13.96
9
0.57
144
10.73
3.44
-10
-16.25
0.15
-60
0.10
115
0.85
13.50
10
0.56
109
9.95
3.14
-32
-16.25
0.15
-76
0.18
61
0.91
13.10
11
0.58
77
8.86
2.77
-53
-16.77
0.15
-91
0.29
32
1.00
12.52
12
0.62
50
7.75
2.44
-73
-17.39
0.14
-104
0.37
12
1.08
10.82
13
0.67
26
6.49
2.11
-93
-18.56
0.12
-117
0.46
-5
1.19
9.85
14
0.72
6
5.24
1.83
-110
-19.91
0.10
-126
0.53
-19
1.31
9.24
15
0.78
-10
3.96
1.58
-128
-21.51
0.08
-134
0.60
-30
1.38
9.07
16
0.82
-24
2.68
1.36
-146
-23.10
0.07
-139
0.65
-40
1.42
9.03
17
0.87
-37
1.08
1.13
-165
-24.88
0.06
-147
0.71
-50
1.38
9.28
18
0.91
-52
-1.16
0.88
177
-28.64
0.04
-153
0.78
-63
1.63
9.06
Figure 5. ATF-36163 Minimum Noise Figure and
Associated Gain vs. Frequency for
V
DS = 2.0 V, ID = 10 mA.
Figure 6. Maximum Available Gain, Maximum
Stable Gain & Insertion Power Gain vs.
Frequency for VDS = 2.0 V, ID = 10 mA.
ATF-36163 Typical Noise Parameters
Common Source, ZO = 50 , VDS = 2.0 V, ID = 10 mA
Freq.
Fmin
Ga
ΓΓΓΓΓopt
Rn/ZO
GHz
dB
Mag.
Ang.
-
2
0.46
18.60
0.84
28
0.38
3
0.50
16.75
0.76
41
0.31
4
0.54
15.55
0.67
56
0.25
5
0.59
14.20
0.61
70
0.20
6
0.63
13.37
0.55
88
0.15
7
0.68
12.12
0.49
103
0.12
8
0.74
11.35
0.39
118
0.10
9
0.80
10.59
0.33
135
0.07
10
0.86
10.11
0.23
165
0.07
11
0.94
9.57
0.17
-145
0.09
12
1.02
9.08
0.18
-93
0.12
13
1.11
8.59
0.24
-47
0.19
14
1.22
8.30
0.34
-16
0.30
15
1.35
8.29
0.47
5
0.42
16
1.51
8.32
0.58
19
0.57
17
1.69
8.07
0.60
34
0.76
18
1.92
7.68
0.66
50
1.10
018
2.4
0
2
6
10 12
2.0
1.2
0.4
14
F
min
(dB)
FREQUENCY (GHz)
0.8
1.6
48
16
24
0
20
12
4
8
16
G
a
(dB)
018
24
0
2
6
10 12
20
12
4
14
GAIN
(dB)
FREQUENCY (GHz)
8
16
48
16
MAG
MSG
|S21|2
Note:
1. Gmax = MAG for K > 1 and Gmax = MSG for K
≤ 1.
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参数描述
ATF-36163-BLKG 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-36163-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-36163-G 制造商:Avago Technologies 功能描述:Transistor,RF,PHEMT,9,5dB GA,ATF-36163
ATF-36163-TR1 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
ATF-36163-TR1G 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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