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参数资料
| 型号： | ATF-36163-BLK |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 395K |
| 代理商： | ATF-36163-BLK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-36163-TR1 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-44101 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| ATF-45171 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| ATIR0821DS | POSITION, LINEAR SENSOR-DIFFUSE, 1-1mm, 3mA, RECTANGULAR, THROUGH HOLE MOUNT |
| ATIR0A11S | POSITION, LINEAR SENSOR-DIFFUSE, 1-1mm, 0.10-0.40mA, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATF-36163-BLKG | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-36163-BLKG | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| ATF-36163-G | 制造商:Avago Technologies 功能描述:Transistor,RF,PHEMT,9,5dB GA,ATF-36163 |
| ATF-36163-TR1 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT |
| ATF-36163-TR1G | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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