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参数资料
| 型号： | ATF-36163-BLKG |
| 厂商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 6 PIN |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | ATF-36163-BLKG |
www.agilent.com/semiconductors
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Data subject to change.
Copyright 2004 Agilent Technologies, Inc.
Obsoletes 5965-4747E
November 15, 2004
5989-1915EN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-36163-TR2 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36163-TR1 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36163-TR2G | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36163-TR1G | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36163-BLK | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATF-36163-BLKG | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| ATF-36163-G | 制造商:Avago Technologies 功能描述:Transistor,RF,PHEMT,9,5dB GA,ATF-36163 |
| ATF-36163-TR1 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT |
| ATF-36163-TR1G | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-36163-TR2G | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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