参数资料
型号: ATF-36163-TR1G
厂商: AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装: LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 6 PIN
文件页数: 9/11页
文件大小: 112K
代理商: ATF-36163-TR1G
7
ATF-36163 Typical “Off” Scattering Parameters, Common Source, Z
O = 50
,V
DS =0 V,
VGS =0 V
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
0.5
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-10
-46.02
0.01
80
-46.02
0.01
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170
1
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-20
-39.17
0.01
81
-39.17
0.01
83
0.701
160
2
0.99
-37
-32.77
0.02
75
-32.77
0.02
76
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139
3
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-55
-28.64
0.04
67
-28.64
0.04
68
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4
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-74
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-25.19
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5
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6
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27
-20.45
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27
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7
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-142
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11
-18.71
0.12
11
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46
8
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-168
-17.02
0.14
-6
-17.02
0.14
-5
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30
9
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-24
-15.70
0.16
-24
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16
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-44
-14.85
0.18
-44
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3
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-64
-14.66
0.19
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64
-14.85
0.18
-83
-14.85
0.18
-83
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13
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36
-15.76
0.16
-101
-15.76
0.16
-101
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-34
14
0.87
12
-17.14
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-17.08
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-115
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-44
15
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-8
-18.71
0.12
-129
-18.71
0.12
-129
0.89
-53
16
0.93
-24
-20.45
0.10
-140
-20.45
0.10
-140
0.90
-62
17
0.93
-39
-23.35
0.07
-154
-23.10
0.07
-152
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-71
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0.93
-53
-27.96
0.04
-161
-28.18
0.04
-161
0.90
-81
ATF-36163 Typical “Off” Scattering Parameters, Common Source, Z
O = 50
, V
DS = 2.0 V,
VGS = -1.5 V
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
0.5
0.97
-8
-34.89
0.02
82
-34.89
0.02
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-7
1
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-28.87
0.04
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2
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59
-22.97
0.07
59
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-29
3
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-43
-19.33
0.11
44
-19.33
0.11
44
0.98
-43
4
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-57
-16.71
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29
-16.71
0.15
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-57
5
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14
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14
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6
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-2
-12.65
0.23
-2
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-56
-8.09
0.39
-56
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-79
-6.73
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-106
-5.87
0.51
-106
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-5.71
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-136
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-6.52
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-170
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0.90
-50
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PDF描述
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参数描述
ATF-36163-TR2G 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF38143 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-38143 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SC-70 (SOT-343) Low Noise +22 dBm OIP3
ATF-38143-BLK 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-38143-BLKG 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: