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参数资料
型号： ATF-36163-TR2
厂商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： PLASTIC, SC-70, 6 PIN
文件页数： 8/11页
文件大小： 112K
代理商： ATF-36163-TR2
6
ATF-36163 Typical Scattering Parameters, Common Source, Z
O = 50
, V
DS = 2 V, ID = 15 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
K
Gmax[1]
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag. Ang.
Mag.
Ang.
–
dB
0.5
0.99
-12
13.85
4.93
168
-38.42
0.01
79
0.51
-9
0.12
26.10
1
0.98
-22
13.70
4.84
157
-32.40
0.02
71
0.50
-18
0.17
23.11
2
0.96
-43
13.45
4.70
137
-26.74
0.05
56
0.48
-35
0.26
20.13
3
0.92
-63
13.29
4.62
117
-23.48
0.07
40
0.45
-52
0.35
18.40
4
0.86
-85
13.16
4.55
96
-21.31
0.09
24
0.40
-69
0.46
17.22
5
0.79
-108
12.96
4.45
75
-19.58
0.11
7
0.33
-90
0.55
16.26
6
0.73
-133
12.67
4.30
53
-18.42
0.12
-10
0.26
-112
0.62
15.54
7
0.65
-160
12.13
4.04
32
-17.72
0.13
-28
0.17
-136
0.75
14.93
8
0.59
173
11.63
3.81
11
-17.27
0.14
-42
0.09
-171
0.84
14.46
9
0.55
141
11.06
3.57
-11
-16.83
0.14
-57
0.09
93
0.90
13.95
10
0.56
107
10.23
3.25
-32
-16.77
0.15
-72
0.19
51
0.96
13.50
11
0.58
75
9.11
2.86
-53
-17.14
0.14
-87
0.30
27
1.04
11.93
12
0.63
49
8.00
2.51
-73
-17.72
0.13
-99
0.38
9
1.11
10.85
13
0.68
26
6.75
2.17
-92
-18.71
0.12
-112
0.47
-7
1.20
10.00
14
0.73
6
5.49
1.88
-110
-20.00
0.10
-121
0.54
-20
1.30
9.45
15
0.78
-11
4.22
1.63
-127
-21.41
0.09
-129
0.61
-31
1.35
9.30
16
0.83
-24
2.99
1.41
-145
-22.73
0.07
-135
0.66
-41
1.36
9.31
17
0.88
-38
1.42
1.18
-164
-24.44
0.06
-143
0.72
-51
1.31
9.56
18
0.91
-52
-0.79
0.91
178
-27.96
0.04
-149
0.78
-63
1.50
9.44
Note:
1. Gmax = MAG for K > 1 and Gmax = MSG for K
≤ 1.
Figure 7. ATF-36163 Minimum Noise Figure and
Associated Gain vs. Frequency for
VDS = 2 V, ID = 15 mA.
Figure 8. Maximum Available Gain, Maximum
Stable Gain & Insertion Power Gain vs.
Frequency for VDS = 2 V, ID = 15 mA.
ATF-36163 Typical Noise Parameters
Common Source, ZO = 50
, V
DS = 2.0 V, ID = 15 mA
Freq.
Fmin
Ga
ΓΓΓΓΓ
opt
Rn/ZO
GHz
dB
Mag.
Ang.
-
2
0.48
18.97
0.83
28
0.37
3
0.52
17.27
0.74
41
0.31
4
0.56
15.75
0.67
56
0.25
5
0.61
14.54
0.60
71
0.19
6
0.65
13.68
0.55
89
0.15
7
0.70
12.47
0.46
104
0.11
8
0.76
11.66
0.37
118
0.09
9
0.82
10.94
0.31
136
0.08
10
0.88
10.44
0.21
168
0.07
11
0.95
9.88
0.15
-137
0.09
12
1.03
9.38
0.18
-85
0.13
13
1.12
8.90
0.25
-41
0.21
14
1.23
8.63
0.36
-13
0.32
15
1.35
8.59
0.48
7
0.44
16
1.49
8.63
0.58
20
0.60
17
1.65
8.68
0.65
34
0.79
18
1.86
8.32
0.70
51
1.10
018
2.4
0
2
6
10 12
2.0
1.2
0.4
14
F
min
(dB)
FREQUENCY (GHz)
0.8
1.6
48
16
24
0
20
12
4
8
16
G
a
(dB)
018
24
0
2
6
10 12
20
12
4
14
GAIN
(dB)
FREQUENCY (GHz)
8
16
48
16
MAG
MSG
|S21|2
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PDF描述
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参数描述
ATF-36163-TR2G 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF38143 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-38143 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SC-70 (SOT-343) Low Noise +22 dBm OIP3
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