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参数资料
型号： ATF-38143-TR1G
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件页数： 10/13页
文件大小： 452K
代理商： ATF-38143-TR1G
6
ATF-38143 Typical Noise Parameters
VDS = 2 V, IDS = 5 mA
Freq.
Fmin
Γopt
Rn/50
Ga
GHz
dB
Mag.
Ang.
-
dB
0.5
0.18
0.69
14
0.25
23.0
0.9
0.21
0.69
26
0.23
20.5
1.0
0.22
0.68
27
0.22
19.8
1.5
0.26
0.68
44
0.20
17.1
1.8
0.29
0.66
59
0.17
16.0
2.0
0.32
0.65
61
0.17
15.4
2.5
0.40
0.62
80
0.14
14.3
3.0
0.48
0.59
98
0.11
13.1
4.0
0.60
0.50
127
0.08
10.8
5.0
0.70
0.49
163
0.04
9.8
6.0
0.84
0.51
-169
0.04
8.7
7.0
0.96
0.53
-140
0.09
7.7
8.0
1.12
0.54
-111
0.20
6.8
9.0
1.27
0.59
-88
0.36
6.1
10.0
1.38
0.62
-68
0.60
6.0
FREQUENCY (GHz)
Figure 18. MSG/MAG and |S21|2 vs. Frequency at 2 V, 5 mA.
MSG/MAG
and
S
21
(dB)
0
4
2
8
14 16
10 12
6
18
MSG
MAG
S21
25
20
15
10
5
0
-5
-10
Notes:
1. Fminvaluesarebasedonasetof16noisefiguremeasurementsmadeat16differentimpedancesusinganATNNP5testsystem.Fromthese
measurementsatrueFminiscalculated.Refertothenoiseparameterapplicationsectionformoreinformation.
2. Sandnoiseparametersaremeasuredonamicrostriplinemadeon0.025inchthickaluminacarrier.Theinputreferenceplaneisattheend
ofthegatelead.Theoutputreferenceplaneisattheendofthedrainlead.Theparametersincludetheeffectoffourplatedthroughviaholes
connectingsourcelandingpadsontopofthetestcarriertothemicrostripgroundplaneonthebottomsideofthecarrier.Two0.020inch
diameterviaholesareplacedwithin0.010inchfromeachsourceleadcontactpoint,oneviaoneachsideofthatpoint.
ATF-38143 Typical Scattering Parameters, VDS = 2 V, IDS = 5 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
(GHz)
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
(dB)
0.5
0.98
-25
14.47
5.289
160
-26.56
0.047
73
0.67
-21
20.51
0.8
0.95
-40
14.19
5.122
148
-22.85
0.072
63
0.65
-32
18.52
1.0
0.93
-51
14.00
5.010
140
-21.21
0.087
56
0.62
-40
17.60
1.5
0.87
-75
13.28
4.613
122
-18.49
0.119
41
0.56
-58
15.88
1.8
0.82
-89
12.79
4.362
111
-17.52
0.133
33
0.52
-69
15.16
2.0
0.80
-98
12.45
4.192
105
-16.95
0.142
28
0.50
-77
14.70
2.5
0.75
-120
11.48
3.751
89
-16.19
0.155
16
0.44
-94
13.84
3.0
0.71
-139
10.48
3.342
76
-15.70
0.164
5
0.40
-110
13.09
4.0
0.67
-170
8.68
2.716
52
-15.44
0.169
-12
0.34
-138
12.06
5.0
0.66
162
7.24
2.302
30
-15.44
0.169
-27
0.31
-162
11.34
6.0
0.66
137
6.02
2.000
10
-15.60
0.166
-41
0.29
173
10.81
7.0
0.68
113
4.78
1.734
-10
-15.92
0.160
-55
0.28
146
10.35
8.0
0.70
92
3.51
1.498
-29
-16.59
0.148
-67
0.29
121
8.89
9.0
0.72
73
2.39
1.316
-47
-17.20
0.138
-77
0.32
103
7.33
10.0
0.74
56
1.51
1.190
-64
-17.46
0.134
-86
0.37
87
6.93
11.0
0.78
39
0.44
1.052
-83
-17.86
0.128
-97
0.42
66
6.66
12.0
0.82
23
-0.73
0.919
-100
-18.42
0.120 -106
0.47
47
6.22
13.0
0.83
10
-2.17
0.779
-117
-19.33
0.108 -115
0.52
28
4.93
14.0
0.85
-2
-3.54
0.665
-132
-20.00
0.100 -121
0.57
11
3.95
15.0
0.87
-16
-4.84
0.573
-147
-20.45
0.095 -129
0.63
0
3.58
16.0
0.88
-30
-6.16
0.492
-161
-20.82
0.091 -136
0.68
-12
2.90
17.0
0.88
-39
-7.51
0.421
-176
-21.11
0.088 -145
0.71
-26
1.98
18.0
0.89
-50
-9.07
0.352
173
-21.83
0.081 -151
0.75
-37
1.24
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ATF-38143-TR2 制造商:Avago Technologies 功能描述:TRANSISTOR,HEMT,N-CHAN,4.5V V(BR)DSS,90mA I(DSS),SOT-343R
ATF-38143-TR2G 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF4 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM GRAY RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - Din 轨道，通道 系列:ATF 标准包装:1 系列:CLIPLINE UK 类型:断连 断开类型:保险丝，杆 位置数:3 级别数目:1 端子 - 宽度:18.0mm 端接类型:螺钉 电流 - IEC:32A 电压 - IEC:690V 电流 - UL:30A 电压 - UL:600V 线规或范围 - AWG:3-18 AWG 线规或范围 - mm²:1.5-25mm² 特点:- 颜色:黑 保险丝类型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 绝缘体:聚酰胺（PA），尼龙 材料可燃性额定值:UL94 V-0 剥线长度:12mm 其它名称:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL
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