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参数资料
| 型号： | ATMEGA325P-20AUR |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 135/364页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU AVR 32K FLASH 20MHZ 64TQFP |
| 产品培训模块： | megaAVR Introduction |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | AVR® ATmega |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | SPI，UART/USART，USI |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 54 |
| 程序存储器容量： | 32KB（16K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 1K x 8 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-TQFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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8023F–AVR–07/09
ATmega325P/3250P
The write access time for the EEPROM is given in Table 7-1. A self-timing function, however,
lets the user software detect when the next byte can be written. If the user code contains instruc-
tions that write the EEPROM, some precautions must be taken. In heavily filtered power
supplies, V
CC is likely to rise or fall slowly on power-up/down. This causes the device for some
period of time to run at a voltage lower than specified as minimum for the clock frequency used.
See Section “7.4.3” on page 22. for details on how to avoid problems in these situations.
In order to prevent unintentional EEPROM writes, a specific write procedure must be followed.
Refer to the description of the EEPROM Control Register for details on this.
When the EEPROM is read, the CPU is halted for four clock cycles before the next instruction is
executed. When the EEPROM is written, the CPU is halted for two clock cycles before the next
instruction is executed.
7.4.2
EEPROM Write During Power-down Sleep Mode
When entering Power-down sleep mode while an EEPROM write operation is active, the
EEPROM write operation will continue, and will complete before the Write Access time has
passed. However, when the write operation is completed, the clock continues running, and as a
consequence, the device does not enter Power-down entirely. It is therefore recommended to
verify that the EEPROM write operation is completed before entering Power-down.
7.4.3
Preventing EEPROM Corruption
During periods of low V
CC, the EEPROM data can be corrupted because the supply voltage is
too low for the CPU and the EEPROM to operate properly. These issues are the same as for
board level systems using EEPROM, and the same design solutions should be applied.
An EEPROM data corruption can be caused by two situations when the voltage is too low. First,
a regular write sequence to the EEPROM requires a minimum voltage to operate correctly. Sec-
ondly, the CPU itself can execute instructions incorrectly, if the supply voltage is too low.
EEPROM data corruption can easily be avoided by following this design recommendation:
Keep the AVR RESET active (low) during periods of insufficient power supply voltage. This can
be done by enabling the internal Brown-out Detector (BOD). If the detection level of the internal
BOD does not match the needed detection level, an external low V
CC reset Protection circuit can
be used. If a reset occurs while a write operation is in progress, the write operation will be com-
pleted provided that the power supply voltage is sufficient.
7.5
I/O Memory
The I/O space definition of the ATmega325P/3250P is shown in ”Register Summary” on page
All ATmega325P/3250P I/Os and peripherals are placed in the I/O space. All I/O locations may
be accessed by the LD/LDS/LDD and ST/STS/STD instructions, transferring data between the
32 general purpose working registers and the I/O space. I/O Registers within the address range
0x00 - 0x1F are directly bit-accessible using the SBI and CBI instructions. In these registers, the
value of single bits can be checked by using the SBIS and SBIC instructions. Refer to the
instruction set section for more details. When using the I/O specific commands IN and OUT, the
I/O addresses 0x00 - 0x3F must be used. When addressing I/O Registers as data space using
LD and ST instructions, 0x20 must be added to these addresses. The ATmega325P/3250P is a
complex microcontroller with more peripheral units than can be supported within the 64 location
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATMEGA325P-20MU | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 32K FLSH 2K SRAM 1KB EE - 20 MHZ 5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATMEGA325P-20MUR | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 32K FLSH 2K SRAM 1KB EE-20MHz IND, 5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATMEGA325PA | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit Microcontroller with 16/32/64K Bytes In-System Programmable Flash |
| ATmega325PA-AN | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit Atmel Microcontroller with 16/32/64KB In-System Programmable Flash |
| ATmega325PA-ANR | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit Atmel Microcontroller with 16/32/64KB In-System Programmable Flash |
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