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参数资料
| 型号： | ATP207 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 65 A, 40 V, 0.0091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE, ATPAK-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 255K |
| 代理商： | ATP207 |
ATP207
No. A1319-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
1.5
2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=33A
12
20
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=33A, VGS=10V
7
9.1
mΩ
RDS(on)2
ID=17A, VGS=4.5V
11
15.5
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
2710
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
330
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
220
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
27
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
290
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
170
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
110
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=20V, VGS=10V, ID=65A
54
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=20V, VGS=10V, ID=65A
14
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=20V, VGS=10V, ID=65A
11
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=65A, VGS=0V
1.0
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : ATPAK
0.7
0.4
0.55
9.5
7.3
0.5
1.7
4.6
6.05
13
2
6.5
0.6
4
0.8
0.5
1.5
0.4
2.6
4.6
0.4
0.1
2.3
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=33A
RL=0.61Ω
VDD=20V
VOUT
ATP207
VIN
10V
0V
VIN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP207 | 65 A, 40 V, 0.0091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| CBJR12-1 | BOARD TERMINATED, RF CONNECTOR, SOLDER, JACK |
| CBJR12A-2 | BOARD TERMINATED, RF CONNECTOR, SOLDER, JACK |
| CMIT-019-03-C-D-K | 38 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT BOARD STACKING CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| CMIT-019-01-C-D-K | 38 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT BOARD STACKING CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP207_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP207-S-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:上次购买时间 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片） 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 |
| ATP207-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP208 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP208_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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