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参数资料
| 型号： | ATP405-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 20A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 68nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1088-6 |
ATP405
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=100V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
100
10
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=20A
2.0
62
3.5
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=20A, VGS=10V
VDS=20V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=60V, VGS=10V, ID=40A
IS=40A, VGS=0V
25
4000
300
170
38
125
220
150
68
14
15
0.9
33
1.2
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
10V
0V
VIN
VDD=60V
L
VIN
ID=20A
RL=3 Ω
≥ 50 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
ATP405
G
10V
0V
50 Ω
VDD
ATP405
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
ATP405-TL-H
Package
ATPAK
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1458-2/7
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PDF描述 |
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