参数资料
型号: ATP613
元件分类: JFETs
英文描述: 5.5 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: HALOGEN FREE, ATPAK-3
文件页数: 4/5页
文件大小: 379K
代理商: ATP613
ATP613
No. A1903-4/5
EAS -- Ta
A
valanche
Ener
gy
derating
factor
--
%
Ambient Temperature, Ta --
°C
0
25
50
75
100
125
150
100
80
60
20
40
120
175
IT16212
PD -- Tc
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
W
Case Temperature, Tc --
°C
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
VGS -- Qg
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
IT16211
0
20
40
60
80
100
140
120
60
50
40
20
30
10
80
70
160
IT16710
0.01
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10
2
3
5
7
1.0
IDP=19A (PW≤10μs)
ID=5.5A
100
μs
1ms
10ms
100ms
DC
operation
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
10
23
5 7
2
100
1000
35 7
2
3
7
5
10
μs
100
IT16209
0
1
2
3
4
5
6
7
8
16
14
12
10
24
8
6
10
9
VDS=200V
ID=5.5A
Tc=25
°C
Single pulse
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PDF描述
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