- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36760 > ATP613TL 5.5 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ATP613TL |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 5.5 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE, ATPAK-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 379K |
| 代理商： | ATP613TL |
ATP613
No. A1903-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=10mA, VGS=0V
500
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=400V, VGS=0V
100
μA
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±30V, VDS=0V
±100
nA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
35
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=2.75A
1.5
2.9
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)
ID=2.75A, VGS=10V
1.55
2.0
Ω
Input Capacitance
Ciss
VDS=30V, f=1MHz
350
pF
Output Capacitance
Coss
68
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
15
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See Fig.2
14.2
ns
Rise Time
tr
46
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
37.6
ns
Fall Time
tf
20.4
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=200V, VGS=10V, ID=5.5A
13.8
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
3.2
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
7.6
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=5.5A, VGS=0V
1.1
1.5
V
Reverse Recovery Time
trr
See Fig.3
IS=5.5A, VGS=0V, di/dt=100A/μs
60
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
120
nC
Fig.1 Avalanche Resistance Test Circuit
Fig.2 Switching Time Test Circuit
Fig.3 Reverse Recovery Time Resistance Test Circuit
P.G
RGS=50Ω
G
S
D
ID=2.75A
RL=72.8Ω
VDD=200V
VOUT
ATP613
VIN
PW=10μs
D.C.≤0.5%
10V
0V
VIN
50Ω
≥50Ω
RG
VDD
L
10V
0V
ATP613
G
S
D
VDD=50V
ATP613
500μH
Driver MOSFET
G
S
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATS-1FREQ3 | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 10 MHz - 32 MHz |
| ATS-2-RFREQ | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 3.579 MHz - 3.999 MHz |
| ATS111S | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 11.0592 MHz |
| ATS15A2 | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 15.36 MHz |
| ATS040SM1 | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 4 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP613-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ATP64A | 制造商:COOPER B-LINE 功能描述:FAN TRAY 2 600 CABINET 230V |
| ATP64A | 制造商:COOPER 功能描述:FAN TRAY 2 600 CABINET 230V |
| ATP68D-01CGM | 制造商:AAC 制造商全称:American Accurate Components, Inc. 功能描述:RF POWER ATTENUATOR |
| ATP68D-01DGM | 制造商:AAC 制造商全称:American Accurate Components, Inc. 功能描述:RF POWER ATTENUATOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。