参数资料
| 型号： | ATTINY13A-SS7R |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 33/67页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU AVR 1K FLASH 8SOIC |
| 产品培训模块： | MCU Product Line Introduction tinyAVR Introduction |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 6 |
| 程序存储器容量： | 1KB（512 x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 64 x 8 |
| RAM 容量： | 64 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ATTINY13A-SS7RDKR |
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8126F–AVR–05/12
ATtiny13A
5.
Memories
This section describes the different memories in the ATtiny13A. The AVR architecture has two
main memory spaces, the Data memory and the Program memory space. In addition, the
ATtiny13A features an EEPROM Memory for data storage. All three memory spaces are linear
and regular.
5.1
In-System Reprogrammable Flash Program Memory
The ATtiny13A contains 1K byte On-chip In-System Reprogrammable Flash memory for pro-
gram storage. Since all AVR instructions are 16 or 32 bits wide, the Flash is organized as 512 x
16.
The Flash memory has an endurance of at least 10,000 write/erase cycles. The ATtiny13A Pro-
gram Counter (PC) is nine bits wide, thus addressing the 512 Program memory locations.
“Memory Programming” on page 103 contains a detailed description on Flash data serial down-
loading using the SPI pins.
Constant tables can be allocated within the entire Program memory address space (see the
LPM – Load Program memory instruction description).
Timing diagrams for instruction fetch and execution are presented in “Instruction Execution Tim-
Figure 5-1.
Program Memory Map
5.2
SRAM Data Memory
Figure 5-2 on page 16 shows how the ATtiny13A SRAM Memory is organized.
The lower 160 Data memory locations address both the Register File, the I/O memory and the
internal data SRAM. The first 32 locations address the Register File, the next 64 locations the
standard I/O memory, and the last 64 locations address the internal data SRAM.
The five different addressing modes for the Data memory cover: Direct, Indirect with Displace-
ment, Indirect, Indirect with Pre-decrement, and Indirect with Post-increment. In the Register
File, registers R26 to R31 feature the indirect addressing pointer registers.
The direct addressing reaches the entire data space.
The Indirect with Displacement mode reaches 63 address locations from the base address given
by the Y- or Z-register.
0x0000
0x01FF
Program Memory
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PCF8574AT/3,518 | IC I/O EXPANDER I2C 8B 16SOIC |
| ATTINY13A-SSHR | MCU AVR 1KB FLASH 20MHZ 8SOIC |
| ATTINY13A-SHR | MCU AVR 1KB FLASH 20MHZ 8SOIC |
| ATTINY13A-SUR | IC MCU AVR 1K FLASH 20MHZ 8SOIC |
| PIC10F322T-I/OT | MCU 8BIT 896B FLASH SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATTINY13A-SSH | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 1KB, 64B EE 20MHz 64B SRAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY13A-SSHR | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 1KB FLSH 64B EE SRAM-20MHz NiPdAu RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY13A-SSU | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1KB In-system Flash 20MHz 1.8V-5.5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY13A-SSUR | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 1KB FL 64B EE 64B SRAM 20 MHz IND RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY13A-SSUR SL903 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:AVR, 1KB FLASH, 64B EE, 64B SRAM - 20 MHZ, JEDEC SOIC, IND T - Tape and Reel |
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