参数资料
型号: ATTINY13V-10SI
厂商: Atmel
文件页数: 5/22页
文件大小: 0K
描述: IC MCU AVR 1K FLASH 10MHZ 8SOIC
标准包装: 95
系列: AVR® ATtiny
核心处理器: AVR
芯体尺寸: 8-位
速度: 10MHz
外围设备: 欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 6
程序存储器容量: 1KB(512 x 16)
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 大小: 64 x 8
RAM 容量: 64 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 1.8 V ~ 5.5 V
数据转换器: A/D 4x10b
振荡器型: 内部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
包装: 管件
配用: ATAVRDRAGON-ND - KIT DRAGON FLASH MEM AVR
ATAVRISP2-ND - PROGRAMMER AVR IN SYSTEM
其它名称: ATTINY13V-12SI
ATTINY13V-12SI-ND
13
2535JS–AVR–08/10
ATtiny13
7.2
8S2
TITLE
DRAWING NO.
GPC
REV.
Package Drawing Contact:
packagedrawings@atmel.com
8S2
STN
F
8S2, 8-lead, 0.208” Body, Plastic Small
Outline Package (EIAJ)
4/15/08
COMMON DIMENSIONS
(Unit of Measure = mm)
SYMBOL
MIN
NOM
MAX
NOTE
Notes: 1. This drawing is for general information only; refer to EIAJ Drawing EDR-7320 for additional information.
2. Mismatch of the upper and lower dies and resin burrs aren't included.
3. Determines the true geometric position.
4. Values b,C apply to plated terminal. The standard thickness of the plating layer shall measure between 0.007 to .021 mm.
A
1.70
2.16
A1
0.05
0.25
b
0.35
0.48
4
C
0.15
0.35
4
D
5.13
5.35
E1
5.18
5.40
2
E
7.70
8.26
L
0.51
0.85
θ
e
1.27 BSC
3
θθ
1
N
E
TOP VIEW
C
E1
END VIEW
A
b
L
A1
e
D
SIDE VIEW
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PDF描述
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