参数资料
| 型号： | ATTINY24A-MUR |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 48/135页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU AVR 2KB FLASH 20MHZ 20QFN |
| 产品培训模块： | MCU Product Line Introduction tinyAVR Introduction |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | USI |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 12 |
| 程序存储器容量： | 2KB（1K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 128 x 8 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ATTINY24A-MURDKR |
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8183F–AVR–06/12
ATtiny24A/44A/84A
The next code examples show assembly and C functions for reading the EEPROM. The exam-
ples assume that interrupts are controlled so that no interrupts will occur during execution of
these functions.
Note:
5.3.7
Preventing EEPROM Corruption
During periods of low V
CC, the EEPROM data can be corrupted because the supply voltage is
too low for the CPU and the EEPROM to operate properly. These issues are the same as for
board level systems using EEPROM, and the same design solutions should be applied.
An EEPROM data corruption can be caused by two situations when the voltage is too low. First,
a regular write sequence to the EEPROM requires a minimum voltage to operate correctly. Sec-
ondly, the CPU itself can execute instructions incorrectly, if the supply voltage is too low.
EEPROM data corruption can easily be avoided by following this design recommendation:
Keep the AVR RESET active (low) during periods of insufficient power supply voltage. This can
be done by enabling the internal Brown-out Detector (BOD). If the detection level of the internal
BOD does not match the needed detection level, an external low V
CC reset protection circuit can
Assembly Code Example
EEPROM_read:
; Wait for completion of previous write
sbic
EECR, EEPE
rjmp
EEPROM_read
; Set up address (r18:r17) in address registers
out
EEARH, r18
out
EEARL, r17
; Start eeprom read by writing EERE
sbi
EECR, EERE
; Read data from data register
in
r16, EEDR
ret
C Code Example
unsigned char
EEPROM_read(unsigned int ucAddress)
{
/* Wait for completion of previous write */
while(EECR & (1<<EEPE))
;
/* Set up address register */
EEAR = ucAddress;
/* Start eeprom read by writing EERE */
EECR |= (1<<EERE);
/* Return data from data register */
return EEDR;
}
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ATTINY24A-SSFR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 2KB FL 128B EE SRAM USIADC 20MHz Hi+125C RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY24A-SSN | 功能描述:8位微控制器 -MCU 2K FLASH 128B EE 128B SRAM USI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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