参数资料
型号: AU3PK-M3/86A
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 81K
描述: DIODE ULT FAST 3A 800V SMPC
标准包装: 1
系列: eSMP™
二极管类型: 雪崩
电压 - (Vr)(最大): 800V
电流 - 平均整流 (Io): 1.4A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.5V @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 75ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 800V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-277,3-PowerDFN
供应商设备封装: TO-277A
包装: 标准包装
其它名称: AU3PK-M3/86AGIDKR
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TM Measureu
at the Cathode Band Terminal
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TM - Mount Temperature (“Cl
Fig. 1 — Maximum Forward Current Derating Curve
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0 0.4 0.0 1.2 1.6 20 2.4 20 3.2 3.6
Average Forward Current (A)
Fig. 2 - Average Power Loss Characteristics
10
instantaneous Forward Current (A)
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Instantaneous Fonlvard Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics
Revision: 09?Sep-13
AU3PK, AU3PM
Vishay General Semiconductor
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Percent 0' Rated Peak Reverse Voltage (%):11Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
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Junction Capacitance (pF)
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
10
Transient Thermal impedance (“C/W)
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1 A IIIIIIIIII||||||III||||||III|||
0 l l 1 D
0.01
t- Pulse Duration (s)
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
Document N umber: 89339
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