参数资料
| 型号： | AUIPS2052G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SW IPS 2CH LOW SIDE 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 250 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 900mA |
| 电流 - 峰值输出： | 1.8A |
| 电源电压： | 4 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
AUIPS2051L/AUIPS2052G
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters
are referenced to Ground lead. (Tambient=25°C unless otherwise specified).
Symbol
Vds
Vds cont.
Vin
Isd cont.
Pd
Parameter
Maximum drain to source voltage
Maximum continuous drain to source voltage
Maximum input voltage
Max diode continuous current (limited by thermal dissipation) Rth=125°C/W
Maximum power dissipation (internally limited by thermal protection)
Rth=60C°/W AUIPS2051L 1” sqr. footprint
Rth=100°C/W AUIPS2052G std. footprint
Min.
-0.3
-
-0.3
?
?
?
Max.
60
35
6
1
2
1.25
Units
V
V
V
A
W
Electrostatic discharge voltage (Human body) C=100pF, R=1500 ?
Between drain and source
?
4
ESD
Tj max.
Other combinations
Electrostatic discharge voltage (Machine Model) C=200pF,R=0 ?
Between drain and source
Other combinations
Max. storage & operating temperature junction temperature
?
?
?
-40
3
0.5
0.3
150
kV
°C
Thermal Characteristics
Symbol
Rth1
Rth2
Parameter
Thermal resistance junction to ambient SOT-223 std. footprint
Thermal resistance junction to ambient SOT- 223 1” sqr. footprint
Typ.
100
60
Max.
?
?
Units
Rth1
Rth1
Thermal resistance junction to ambient SO-8 std. Footprint
Thermal resistance junction to ambient SO-8 std. footprint
1 die active
2 die active
100
130
?
?
°C/W
note : Tj=Power dissipated in one channel x Rth
Recommended Operating Conditions
These values are given for a quick design. For operation outside these conditions, please consul t the application notes.
Symbol
VIH
VIL
Ids
Rin
Max. t rise
Parameter
High level input voltage
Low level input voltage
Continuous drain current, Tambient=85°C, Tj=125°C, Vin=5V,Rth=100°C/W
Recommended resistor in series with IN pin to generate a diagnostic
Max. input rising time
Min.
4
0
?
0.5
?
Max.
5.5
0.5
0.9
5
1
Units
A
k ?
μs
www.irf.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AUIPS6011 | 功能描述:功率驱动器IC Automotive qualified HS 14mohm 40V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIPS6011R | 功能描述:功率驱动器IC Automotive qualified HS 14mohm 40V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIPS6011RTR | 功能描述:功率驱动器IC Automotive qualified HS 14mohm 40V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIPS6011RTRL | 功能描述:功率驱动器IC Automotive qualified HS 14mohm 40V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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