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参数资料
| 型号： | AUIPS7121RTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR CURRENT SENSE 1CH D2PAK-5 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 类型： | 高端，电流感应 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 24 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 3.8A |
| 电流 - 峰值输出： | 60A |
| 电源电压： | 3.5 V ~ 5.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIPS7121R
Static Electrical Characteristics
Tj=25°C, Vcc=28V (unless otherwise specified)
Symbol
Vcc op.
Para meter
Operating voltage range
Min.
6
Typ.
?
Max.
60
Units
V
Test Conditions
Rds(on)
Icc off
Iout off
ON state resistance Tj=25°C
ON state resistance Tj= 150°C(2)
Supply leakage current
Output leakage current
?
?
?
?
24 30
45 55
2 4
2 4
m ?
μA
Ids=2A
Vi n=Vc c=28 V,V ifb=V gnd
Vout=Vgnd
Iin on
V clamp1
Input current when device on
V cc to Vout clamp voltage 1
1
60
2.5
64
4
?
mA
Vcc -V in=28V
Id=10mA
V clamp2
Vih(1)
Vil(1)
Rds(on) rev
Vcc to Vout clamp voltage 2
High level Input threshold voltage
Low level Input threshold voltage
R everse On sta te resist ance Tj=25°C
60
?
1.5
?
65 72
3.5 5.9
?
3.2
25 40
V
m ?
Id=20A see fig. 2
Id=10mA
Isd=2A
Vf
Rin
F orward body diode voltage Tj=25°C
F orward body diode voltage Tj=125°C
In put resistor
?
?
180
0.75
0.62
250
0 .85
0. 7
35 0
V
?
I f=3A
(1) Input threshold s are measured directly between the input p in and the tab.
Switching Electrical Characteristics
Vcc=28V, Resistive load=6.8 ? , Tj=25°C
Symbol
tdon
tr
tdoff
tf
P arameter
T urn on delay time
R ise time from 20% to 80% of Vcc
Turn off delay time
Fall time from 80% to 20% of Vcc
Min.
6
5
25
6
Typ.
15
10
50
15
Max.
30
30
100
30
Units
μs
μs
Test C o nditio n s
See fig. 1
Protection Characteristics
Tj=25°C, Vcc=28V (unless otherwise specified)
Symbol
Tsd
Isd
I fault
Parameter
Over temperature threshold(2)
Over-current shutdown
Ifb after an over-current or an over-
temperature (latched)
Min.
150
50
2.7
Typ.
165
60
3.3
Max.
?
80
4
Units
°C
A
mA
Test Conditions
See fig. 3 and fig. 11
See fig. 3 and page 7
See fig. 3
Current Sensing Characteristics
Tj=25°C, Vcc=28V (unless otherwise specified), Vcc-Vifb>4V
Symbol
Ratio
Ratio_TC
I offset
Ifb leakage
Parameter
I load / Ifb current ratio
I load / Ifb variation over temperature(2)
Load current offset
Ifb leakage current
Min.
7050
-5%
-0.6
0
Typ.
8500
0
0
10
Max.
9950
+5
0.6
100
Units
%
A
μA
Test Conditions
Iload=5A
Tj=-40°C to +150°C
Iout<5A
Iout=0A
(2) Guaranteed by design
www.irf.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AUIPS7121RTRR | 功能描述:功率驱动器IC CURRNT High Side 30mOhms 50A 65V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIPS7125R | 功能描述:功率驱动器IC CURRNT High Side 30mOhms 50A 65V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| AUIPS7125RTR | 功能描述:功率驱动器IC CURRNT High Side 30mOhms 50A 65V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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