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参数资料
| 型号： | AUIRF1010EZL |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-262, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 375K |
| 代理商： | AUIRF1010EZL |
AUIRF1010EZ/S/L
www.irf.com
3
Qualification standards can be found at International Rectifiers web site: http//www.irf.com/
Exceptions to AEC-Q101 requirements are noted in the qualification report.
Qualification Information
Moisture Sensitivity Level
TO-220AB
N/A
Charged Device Model
Class C3
AEC-Q101-005
Qualification Level
Automotive
(per AEC-Q101)
Comments: This part number(s) passed Automotive
qualification. IR’s Industrial and Consumer qualification
level is granted by extension of the higher Automotive
level.
RoHS Compliant
Yes
ESD
Machine Model
Class M4
AEC-Q101-002
Human Body Model
Class H1C
AEC-Q101-001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRF1010EZS | 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRF1010EZSTRR | 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRF1010EZ | 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| AUIRF1010EZSTRL | 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRF1010ZSTRL | 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRF1010EZS | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF1010EZSTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF1010EZSTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF1010Z | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF1010Z_12 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology |
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