型号: | AUIRF1405ZL |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 150 A, 55 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
文件页数: | 1/14页 |
文件大小: | 313K |
代理商: | AUIRF1405ZL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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AUIRF1405 | 75 A, 55 V, 0.0053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
AUIRF2607ZTRL | 42 A, 75 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
AUIRF2607ZTRR | 42 A, 75 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
AUIRFR2607Z | 42 A, 75 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
AUIRFR2607ZTR | 42 A, 75 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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AUIRF1405ZL-308 | 功能描述:MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET 55V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRF1405ZS | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRF1405ZS-7P | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 88A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):230nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5360pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:50 |
AUIRF1405ZS-7TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 88A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):230nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5360pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 |
AUIRF1405ZSTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |