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参数资料
| 型号： | AUIRF7736M2TR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 22 A, 40 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-5 |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | AUIRF7736M2TR |
AUIRF7736M2TR/TR1
8
www.irf.com
DirectFET Board Footprint, M4 (Medium Size Can).
Please see AN-1035 for DirectFET assembly details and stencil and substrate design recommendations
G = GATE
D = DRAIN
S = SOURCE
D
G
S
DD
D
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| AUIRF7737L2TR | 31 A, 40 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| AUIRF7739L2TR1 | 46 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRF7736M2TR1 | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7737L2TR | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7737L2TR1 | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7738L2TR | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF7738L2TR1 | 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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